[发明专利]半导体处理装置及方法

说明书

本发明提供一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部。第一腔室部具有自其面向微腔室的内壁表面凹陷形成的凹槽道、与所述凹槽道的第一位置连通的第一通孔和与所述凹槽道的第二位置连通的第二通孔。在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述待处理半导体晶圆容纳于所述微腔室内时，所述待处理半导体晶圆的一个表面与形成所述凹槽道的内壁表面相抵靠，此时所述凹槽道借助所述待处理半导体晶圆的所述表面的阻挡形成一条封闭通道，该条封闭通道通过第一通孔和第二通孔与外部相通。这样不仅可以精确的控制处理流体的流动方向以及流动速度，还可以大大节省处理流体的用量。

【技术领域】

本发明涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及半导体处理装置及方法。

【背景技术】

专利号为201210171681.9和201210088237.0的中国专利都公开了一种用于半导体晶圆处理的微腔室处理装置。所述微腔室处理装置均包括上腔室部和下腔室部，所述上腔室部和下腔室部可在一驱动装置的驱动下装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于容纳并处理该半导体晶圆的关闭位置之间相对移动。上腔室部与下腔室部处于关闭位置时形成一微腔室，半导体晶圆放置于所述微腔室内，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括一个或多个供处理流体进入的所述微腔室的入口和一个或多个供处理流体排出所述微腔室的出口。

所述上腔室部的面向所述微腔室的上工作表面和所述下腔室部的面向所述微腔室的下工作表面都是水平表面，在处理流体通过所述微腔室的入口进入所述微腔室对所述半导体晶圆进行处理时，所述处理流体流动的方向时随机的，难易受到精确控制。同时，需要的处理流体的量仍然比较大，在需要进行半导体晶圆表面的微量元素检测时，微量的元素溶于大量的处理流体中，微量元素的浓度会非常小，非常难以检测。

因此有必要提供一种新的解决方案来解决上述问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种半导体处理装置及方法，其可以精确控制处理流体的流动方向以及流动速度，同时可以大大节省处理流体的用量。

为实现上述目的，本发明提供一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，待处理半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述待处理半导体晶圆能够被取出或放入。第一腔室部具有自该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面凹陷形成的凹槽道、自外部穿过该第一腔室部以与所述凹槽道的第一位置连通的第一通孔和自外部穿过该第一腔室部以与所述凹槽道的第二位置连通的第二通孔。在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述待处理半导体晶圆容纳于所述微腔室内时，所述待处理半导体晶圆的一个表面与形成所述凹槽道的内壁表面相抵靠，此时所述凹槽道借助所述待处理半导体晶圆的所述表面的阻挡形成一条封闭通道，该条封闭通道通过第一通孔和第二通孔与外部相通。

进一步的，流体能够通过第一通孔进入所述封闭通道，进入所述封闭通道的流体能够沿所述封闭通道的导引前行，此时所述流体能够接触到并处理所述待处理半导体晶圆的所述表面的部分区域，处理过所述待处理半导体晶圆的所述表面的流体能够通过第二通孔流出并被提取。

进一步的，第一通孔包括与所述凹槽道直接相通且较所述凹槽道更深、更宽的第一缓冲口部和与该第一缓冲口部直接相通的第一通孔部，第二通孔包括与所述凹槽道直接相通且较所述凹槽道更深、更宽的第二缓冲口部和与该第二缓冲口部直接相通的第二通孔部。

进一步的，第二腔室部具有自该第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面凹陷形成的凹槽道，形成于第一腔室部的内壁表面上的凹槽道的槽壁与形成于第二腔室部的内壁表面上的凹槽道的槽壁相对应。