[发明专利]一种实时原位测量膛内等离子体电枢参数的方法在审
| 申请号: | 201510835988.8 | 申请日: | 2015-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN105547474A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
| 发明(设计)人: | 庞冲;陈冲;马静;唐晓燕;孙德元;李建;于德江;巨兰;李振超 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十七研究所 |
| 主分类号: | G01J3/28 | 分类号: | G01J3/28;G01D21/02 |
| 代理公司: | 国防专利服务中心 11043 | 代理人: | 胡永贵 |
| 地址: | 450047 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 实时 原位 测量 等离子体 电枢 参数 方法 | ||
1.一种实时原位测量膛内等离子体电枢参数的方法,其特征在于,包括如 下步骤:
步骤一:在电磁轨道炮膛内壁内嵌若干个石英窗口;
电磁轨道炮膛轨道相隔相同距离内嵌石英窗口;
步骤二:发射光谱的产生;
采用高压脉冲电源对聚乙烯衬垫进行放电,产生用于电磁轨道发射的等离子 体电枢,等离子体电枢在电磁轨道炮膛内快速运动;
步骤三:获取等离子体电枢的发射光谱;
光纤接头分别热合在每个石英窗口上,光纤一端接在光纤接头处,另一端与 多通道光纤光谱仪相连接,光纤将等离子体辐射的光传输至多通道光纤光谱仪, 多通道光纤光谱仪与计算机相连,通过计算机软件控制多通道光纤光谱仪进行光 谱采集,并将得到的光谱保存在计算机里;同时多通道光纤光谱仪与电磁轨道炮 脉冲电源之间通过数字延迟发生器相连,通过数字延迟发生器调节两者之间的时 序;
步骤四:实时原位测量膛内等离子体电枢参数;
等离子体电枢参数包括运动速度、电子温度、电子密度、振动温度、转动温 度;
等离子体电枢在电磁轨道炮膛内不同石英窗口之间的运动速度测量:
测量电磁轨道炮的等离子体电枢喷口与每个石英窗口之间的距离Δli, i=1,2,...,n,n为石英窗口序号,n>1;调节数字延迟发生器,获得每个石英窗口 的最强发射光谱,并记录其相应的时间Δti,i=1,2,...,n,n为石英窗口序号,n>1;
等离子体电枢在第1个石英窗口与第2个石英窗口之间的运动速度可由公式 (1)计算得到:
v1=Δl1/Δt1(1)
等离子体电枢在其它石英窗口之间的运动速度可由公式(2)计算得到:
vi=(Δli-Δli-1)/(Δti-Δti-1),i=2,...,n,n>2(2)
等离子体电枢的电子温度Te测量:
等离子体电枢发射光谱的谱线波长λ为:
其中c为光速;v为光子频率;h为Plank常数;Ek、Ei分别对应k能级和i 能级的电子能量;
由k能级到i能级跃迁发出的光子对应的谱线强度Iki,由公式(4)给出:
其中,nk为单位体积内处于激发态k的原子数;Aki为能级k到i的跃迁几率; 处于第k能级的粒子数密度nk由波尔兹曼分布给出:
其中,为粒子总密度;为原子的总配分函数; gk为k能级的统计权重;k为波尔兹曼常数;
将式(4)带入式(3)中可得公式(6):
对公式(6)取自然对数,得公式(7):
其中,k为波尔兹曼常数,Ik为峰强度,λk为该峰波长,gk为该跃迁的上能 级的简并度,Ak为跃迁概率,Ek为跃迁的上能级的能级,为常数, Ik从步骤三得到的发射光谱中读出,λk、gk、Ak、Ek从美国国家标准技术研究所 (NIST)数据库中查得;
以Ek为横坐标,以为纵坐标,作直线拟合,该直线的斜率负倒数 即为kTe,由此求得离子体电枢的电子温度Te;
等离子体电枢的电子密度Ne测量:
非H谱线的Stark展宽效应谱线轮廓的半高全宽由公式(8)表示:
其中,是离子平均距离和德拜长度的比值;c0=0.75; 表示电子碰撞引起的半最大值宽度,是准静态离子加宽参数;将上述参数表达式代入公式(8)即得:
其中,w=αNe,α为展宽系数,Te为石英窗口处等离子体电枢的电子温度, 由公式(7)求出;将上述参数代入上述公式(9),即可得到不同石英窗口之间 的电子密度Ne;
等离子体电枢的分子振动温度Tv测量:
分子带系发射光谱中的振动带之间的谱线强度Iv′v″表示为:
Iv′v″=hcvv′v″Av′v″Nv′(10)
其中,v′,v″分别为上、下能态振动量子数,Av′v″为跃迁几率Nv′,为上能态 分子数,h为普朗克常数,c为真空中光速;
分子的振动能量Ev′表示为:
其中,振动常数ωe、ωex、ωeye和跃迁概率Av′v″可由GriemHR.1964,Pasma SpectroscopyMcGraw-Hill,NewYork查得;
在局部热力学平衡下,上能态分子数Nv′满足波尔兹曼分布,得到:
式中,N0为粒子密度;
将公式(12)代入公式(10)中,可得公式(13):
其中,Iv′v″为峰强度,λv′v″为该波长,Av′v″为跃迁概率,Ev′为跃迁的上能级 的能级,C为常数,Iv′v″从步骤三得到的等离子体电枢的发射光谱中读出,能级Ev′根据公式(11)求得;
以Ev′为横坐标,以为纵坐标,作直线拟合,该直线的斜率负倒数 即为kTv,由此求得离子体电枢的分子振动温度Tv;
等离子体电枢的分子转动温度Tr测量:
转动光谱线的相对强度I表示为:
其中,K为常数,对相同的振动能级来说,该值不变;γ为辐射频率;SJ′J″为 亨耳-伦敦系数,Bv′是上振动能级的分子转动常数,J′和J″分别为上能级和下能 级的转动量子数,h为普朗克常数,c为真空中光速;
当忽略γ4时,公式(14)变为公式(15):
其中,C为常数;IJ′J″为峰强度,从步骤三得到的等离子体电枢的发射光谱 中读出;SJ′J″为亨耳-伦敦系数;J′为上能级的转动量子数;Bv′为振动态的转动 常数;h为普朗克常数;c为真空中光速;上述常数可由GriemHR.1964,Pasma SpectroscopyMcGraw-Hill,NewYork中得到;
以Bv′J′(J′+1)hc为横坐标,为纵坐标,作直线拟合,拟合直线的斜率 负倒数即为kTr,由此求得离子体电枢的分子转动温度Tr。
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