[发明专利]OLED显示面板在审
申请号: | 201510834195.4 | 申请日: | 2015-11-25 |
公开(公告)号: | CN106803511A | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 牟鑫 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201506 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板。
背景技术
OLED显示面板蓝光子像素的寿命(Lifetime)远差于红光和绿光子像素,这样将导致在OLED显示面板使用一段时间后白光色坐标会发生偏移,影响OLED显示画质,进而制约OLED在对使用寿命要求较高的领域如TV、车载上的应用。
由图1可以明显看出随着使用时间的增加,蓝光子像素3的亮度衰减大于红光子像素1和绿光子像素2,进而导致白光4亮度的衰减;由图2示意出随着使用时间的增加,白光色坐标发生偏移,由图2可知,OLED器件使用1000小时前后白光色坐标变化如下表所示:
而目前常见的提高蓝光子像素的寿命的方法为设置不同的RGB子像素开口率,因寿命高低一般为绿光>红光>蓝光,因此开口率大小设置为蓝光>红光>绿光,即便如此,还是不能完全解决蓝光使用寿命远差于红光和绿光的问题。
因此,如何提高OLED显示面板蓝光子像素的寿命,改善OLED显示面板因蓝光子像素亮度衰减过快造成的白画面色坐标偏移的现象成为本领域技术人员致力于研究的方向。
发明内容
针对上述存在的问题,本发明公开一种OLED显示面板,包括:发光材料层和位于所述发光材料层之上的电子传输层(Electron transport layer,ETL);
所述发光材料层包括红光子像素发光层、绿光子像素发光层和蓝光子像素发光层;以及
所述蓝光子像素发光层和所述电子传输层之间还设置有电子缓冲层(Electron Cushion Layer,ECL),以限制电子在所述蓝光子像素发光层与所述电子传输层之间的累积。
上述的OLED显示面板,其中,所述电子缓冲层的材质为有机材料。
上述的OLED显示面板,其中,所述电子缓冲层的材质与所述电子传输层的主体材料相同。
上述的OLED显示面板,其中,所述电子缓冲层的厚度为5~500埃。
上述的OLED显示面板,其中,还包括:基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和阴极;
其中,所述阳极位于所述基板和所述空穴注入层之间,所述空穴传输层位于所述空穴注入层与所述发光材料层之间,所述电子注入层覆盖所述电子传输层的上表面,所述阴极覆盖所述电子注入层的上表面。
上述的OLED显示面板,其中,所述蓝光子像素发光层的材质为荧光材料,所述绿光子像素发光层和红光子像素发光层的材质均为磷光材料。
上述的OLED显示面板,其中,采用FFM制备所述电子缓冲层。
本发明还提供了一种OLED显示面板,包括:发光材料层和位于所述发光材料层之上的电子传输材料层,所述发光材料层包括红光子像素发光层、绿光子像素发光层和蓝光子像素发光层;
其中,所述电子传输材料层包括覆盖所述红光子像素发光层上表面的第一电子传输层、覆盖所述绿光子像素发光层上表面的第二电子传输层以及覆盖所述蓝光子像素发光层上表面的第三电子传输层;
其中,所述第三电子传输层的材料与所述第一电子传输层和/或第二电子传输层的材料不同。
上述的OLED显示面板,其中,所述第一电子传输层和所述第二传输层的材料相同。
上述的OLED显示面板,其中,所述蓝光子像素发光层的材质为荧光材料,所述绿光子像素发光层和红光子像素发光层的材质均为磷光材料。
上述的OLED显示面板,其中,所述第三电子传输层的材料为PO14。
上述的OLED显示面板,其中,所述第一电子传输层的材料和所述第二电子传输层的材料均为TPBI。
上述的OLED显示面板,其中,还包括:基板、阳极、空穴注入 层、空穴传输层、电子注入层和阴极;
其中,所述阳极位于所述基板和所述空穴注入层之间,所述空穴传输层位于所述空穴注入层与所述发光材料层之间,所述电子注入层覆盖所述电子传输层的上表面,所述阴极覆盖所述电子注入层的上表面。
上述发明具有如下优点或者有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的