[发明专利]直接浸泡反应式的泡沫镍-石墨烯三维多孔电极制备方法

权利要求书

1.直接浸泡反应式的泡沫镍-石墨烯三维多孔电极制备方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

将泡沫镍依次采用冰醋酸、丙酮和乙醇进行清洗，然后将其通过去离子水清洗后晾 干放置；

制备质量浓度为0.5mg/mL〜10mg/mL的氧化石墨烯水溶液，然后将步骤（a)处 理后的泡沫镍直接浸泡到其中静置反应，并且在此浸泡过程中反应温度被控制为30°C〜 80°C，浸泡时间为2小时〜12小时；以此方式，石墨烯在浸泡过程中发生还原反应，并在作 为导电基底的泡沫镍表面上自发沉积生长为石墨烯，最终形成三维多孔结构的泡沫镍-石 墨烯产物。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤（b)中，优选采用氧化剥离法来制备所述氧化石墨烯水溶液，并且其质量浓度进一步设定为1mg/mL〜2.5mg/mL。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤（b)中，所述反应温度优选为 60C〜70°C，浸泡时间为4小时〜6小时。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在步骤（b)中，所述反应温度最优选约为 60°C，浸泡时间控制为6小时左右。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤（b)之后，在所形成的三维多孔结构的泡沫镍-石墨烯产物基础上，继续通过电化学恒电位沉积技术来负载 聚吡咯或者纳米二氧化锰。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，上述泡沫镍-石墨烯三维

多孔电 极优选作为超级电容器、锂离子电池或者锂空气电池的电极。