[发明专利]含无铅玻璃料的导电浆在审

专利信息
申请号: 201510831379.5 申请日: 2015-11-25
公开(公告)号: CN105679399A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 叶志贤;施柏仰;辛璧宇 申请(专利权)人: 硕禾电子材料股份有限公司
主分类号: H01B1/16 分类号: H01B1/16;H01B1/22;H01L31/0224
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 许志勇;李有财
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 铅玻璃 导电
【权利要求书】:

1.一种导电浆,其特征在于,包括:(a)导电金属或其衍生物,占固体 重量约85至约99.5重量%;(b)包含碲-铋-锌-氧化物的无铅玻璃料,占固体 重量的约0.5至约15重量%;以及(c)有机载体;所述固体重量是指(a)导电 金属及(b)无铅玻璃料的总重量。

2.如权利要求1所述的导电浆,其特征在于,其中所述导电金属或其 衍生物包含银粉。

3.如权利要求1所述的导电浆,其特征在于,其中所述无铅玻璃料中 氧化碲、氧化铋及氧化锌的比例分别为约60至约90重量%、约0.1至约20 重量%及约0.1至约20重量%。

4.如权利要求1所述的导电浆,其特征在于,进一步包含一种或多种 选自下列组成的群组的金属氧化物:氧化锆(ZrO2)、五氧化二钒(V2O5)、氧 化银(Ag2O)、三氧化二铒(Er2O3)、氧化锡(SnO)、氧化镁(MgO)、三氧化二 铷(Nd2O3)、三氧化二铝(Al2O3)、二氧化硒(SeO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化 钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、五氧化二磷(P2O5)、二氧化钼(MoO2)、二氧化锰 (MnO2)、氧化镍(NiO)、氧化锂(Li2O)、三氧化钨(WO3)、三氧化二钐(Sm2O3)、 二氧化锗(GeO2)、三氧化二铟(In2O3)、三氧化二镓(Ga2O3)、二氧化硅(SiO2) 及三氧化二铁(Fe2O3)。

5.如权利要求1所述的导电浆,其特征在于,其中所述无铅玻璃料进 一步包含一种或多种选自下列组成的群组的金属元素或其氧化物:磷(P)、 钡(Ba)、钠(Na)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钨(W)、铝(Al)、锂(Li)、钾(K)、 锆(Zr)、钒(V)、硒(Se)、铁(Fe)、铟(In)、锰(Mn)、锡(Sn)、镍(Ni)、锑(Sb)、 银(Ag)、硅(Si)、铒(Er)、锗(Ge)、钛(Ti)、镓(Ga)、铈(Ce)、铌(Nb)、钐(Sm) 及镧(La),其比例为所述无铅玻璃料的约0.1至约10重量%。

6.如权利要求1所述的导电浆,其特征在于,其中所述有机载体是包 含聚合物与溶剂的溶液。

7.如权利要求1所述的导电浆,其特征在于,其中所述有机载体进一 步包含一种或多种选自黏度调整剂、分散剂、触变剂及湿润剂组成的群组的 功能性添加剂。

8.一种制品,其特征在于,包含半导体基底,以及设置在所述半导体 基底上如权例要求1至7中任一项的导电浆。

9.如权利要求8所述的制品,其特征在于,进一步包含一个或多个设 置于所述半导体基底上的抗反射涂层,且所述导电浆与所述抗反射涂层接触 并与所述半导体基底电性接触。

10.如权利要求9所述的制品,其特征在于,其中所述制品为半导体装 置。

11.如权利要求10所述的制品,其特征在于,其中所述半导体装置为 太阳能电池。

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