[发明专利]含无铅玻璃料的导电浆有效
| 申请号: | 201510831070.6 | 申请日: | 2015-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN105679402B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
| 发明(设计)人: | 叶志贤;施柏仰;辛璧宇 | 申请(专利权)人: | 硕禾电子材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01B1/22 | 分类号: | H01B1/22;C03C3/062;C03C3/12;C03C3/21;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315 | 代理人: | 许志勇,李有财 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 铅玻璃 导电 | ||
1.一种导电浆,其特征在于,包括:(a)导电金属,占固体重量85至99.5重量%;(b)包含碲-铋-锌-钨-氧化物的无铅玻璃料,占固体重量的0.5至15重量%;以及(c)有机载体;所述固体重量是指(a)导电金属及(b)无铅玻璃料的总重量,其中所述无铅玻璃料中氧化硒的比例为0.5至2重量%。
2.如权利要求1所述的导电浆,其特征在于,其中所述导电金属包含银粉。
3.如权利要求1所述的导电浆,其特征在于,其中所述无铅玻璃料中氧化碲、氧化铋、氧化锌及氧化钨的比例分别为55至90重量%、0.1至15重量%、0.1至15重量%及0.1至15重量%。
4.如权利要求1所述的导电浆,其特征在于,进一步包含一种或多种选自下列组成的群组的金属氧化物:氧化锆(ZrO2)、五氧化二钒(V2O5)、氧化银(Ag2O)、三氧化二铒(Er2O3)、氧化锡(SnO)、氧化镁(MgO)、三氧化二铷(Nd2O3)、三氧化二铝(Al2O3)、二氧化硒(SeO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、五氧化二磷(P2O5)、二氧化钼(MoO2)、二氧化锰(MnO2)、氧化镍(NiO)、氧化锂(Li2O)、三氧化二钐(Sm2O3)、二氧化锗(GeO2)、三氧化二铟(In2O3)、三氧化二镓(Ga2O3)、二氧化硅(SiO2)及三氧化二铁(Fe2O3)。
5.如权利要求1所述的导电浆,其特征在于,其中所述无铅玻璃料进一步包含一种或多种选自下列组成的群组的金属元素:磷(P)、钡(Ba)、钠(Na)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、铝(Al)、锂(Li)、钾(K)、锆(Zr)、钒(V)、铁(Fe)、铟(In)、锰(Mn)、锡(Sn)、镍(Ni)、锑(Sb)、银(Ag)、硅(Si)、铒(Er)、锗(Ge)、钛(Ti)、镓(Ga)、铈(Ce)、铌(Nb)、钐(Sm)及镧(La),其比例为所述无铅玻璃料的0.1至10重量%。
6.如权利要求1所述的导电浆,其特征在于,其中所述无铅玻璃料进一步包含一种或多种选自下列组成的群组的金属元素氧化物:磷(P)、钡(Ba)、钠(Na)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、铝(Al)、锂(Li)、钾(K)、锆(Zr)、钒(V)、铁(Fe)、铟(In)、锰(Mn)、锡(Sn)、镍(Ni)、锑(Sb)、银(Ag)、硅(Si)、铒(Er)、锗(Ge)、钛(Ti)、镓(Ga)、铈(Ce)、铌(Nb)、钐(Sm)及镧(La),其比例为所述无铅玻璃料的0.1至10重量%。
7.如权利要求1所述的导电浆,其特征在于,其中所述有机载体是包含聚合物与溶剂的溶液。
8.如权利要求1所述的导电浆,其特征在于,其中所述有机载体进一步包含一种或多种选自黏度调整剂、分散剂、触变剂及湿润剂组成的群组的功能性添加剂。
9.一种制品,其特征在于,包含半导体基底,以及设置在所述半导体基底上如权例要求1至8中任一项的导电浆。
10.如权利要求9所述的制品,其特征在于,进一步包含一个或多个设置于所述半导体基底上的抗反射涂层,且所述导电浆与所述抗反射涂层接触并与所述半导体基底电性接触。
11.如权利要求10所述的制品,其特征在于,其中所述制品为半导体装置。
12.如权利要求11所述的制品,其特征在于,其中所述半导体装置为太阳能电池。
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