[发明专利]一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，该方法将高氧化掺杂态的PEDOT-Tos-PPP薄膜置入具有还原性的卤化试剂中进行后处理，除去薄膜中的绝缘相PPP和掺杂离子Tos，并以卤化离子作为新的掺杂离子进入PEDOT链结构中，洗涤烘干后，得到高热电性能的聚合物薄膜；

所述的卤化试剂为氢碘酸溶液，其中氢碘酸与水的质量比为1：(0.5～100)；

PEDOT-Tos-PPP薄膜在氢碘酸溶液中的后处理过程在避光条件下进行，处理时间为1min～2h，处理温度为0～60℃；

所述的PEDOT-Tos-PPP薄膜的厚度为10nm～3μm，其通过以下步骤制备而成：

(1)将氧化剂、三嵌段共聚物PPP加入到醇溶剂中，超声搅拌，得到混合溶液，再将混合溶液旋涂至石英玻璃基板上，并置于热板上进行处理；

(2)再将石英玻璃基板转移至盛有EDOT单体的气相室中进行氧化聚合，聚合完成后，冷却洗涤干燥得到PEDOT-Tos-PPP薄膜；

步骤(1)中所述的氧化剂为对甲苯磺酸铁，所述的醇溶剂为正丁醇和乙醇按质量比1:1混合而成的混合溶剂，所述的氧化剂、三嵌段共聚物PPP和醇溶剂的质量比为1：(0.2～3)：(2～15)；

步骤(1)中超声搅拌的时间为10～50min，混合溶液在石英玻璃基板上的旋涂量为0.1～0.5mL/cm²，旋涂速度为1000～8000r/min，旋涂时间为5～200s，热板的温度为30～100℃。

2.根据权利要求1所述的一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，洗涤的工艺条件为：将后处理完成后的薄膜依次浸泡在去离子水中和无水乙醇中清洗；

干燥工艺条件为：干燥温度为80～160℃，时间为1～10h。

3.根据权利要求1所述的一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中气相室中的EDOT单体的浓度为500g/m³-2500g/m³，气相室的温度为30～100℃，氧化聚合的时间为1～50min。

4.根据权利要求1所述的一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中干燥的工艺条件为：将洗涤后的聚合产物放入30-100℃的真空干燥箱或热板上干燥0.2-5小时。