[发明专利]一种带自举电路的整流电路在审

专利信息
申请号: 201510829063.2 申请日: 2015-11-25
公开(公告)号: CN105245121A 公开(公告)日: 2016-01-13
发明(设计)人: 张峰;潘东方;李金良;刘姗姗 申请(专利权)人: 中国科学院自动化研究所
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电路 整流
【权利要求书】:

1.一种带自举电路的整流电路,其包括:

NMOS交叉耦合输入级电路,用于接收一个正负跳变的交流信号;

PMOS开关输出级电路,用于对接收到的所述交流信号实现整流并且提供输出电流;

自举电路,其包括二极管连接的PMOS管和电容,用于提供PMOS开关输出级的开启电压以抵消阈值损耗;

其中,所述交叉耦合连接的NMOS输入级电路包括交叉耦合连接的第一NMOS管和第二NOMS管;

所述PMOS开关输出级电路320包括栅极互联的第一PMOS管和第二PMOS管;

所述自举电路包括第三PMOS管和自举电容,所述第三PMOS管的源极接输出电压,漏极和栅极接所述自举电容,其利用二极管连接的第三PMOS管向所述自举电容提供充放电回路,并且使得所述自举电容充电至小于所述PMOS开关输出级电路中第一PMOS管或第二PMOS管MP2的源级一个阈值电压的电位。

2.如权利要求1所述的整流电路,其中,所述自举电路还包括第三NMOS管,其串接在所述第三PMOS管后,与所述第三PMOS管形成超低功率二极管。

3.如权利要求1或2所述的整流电路,其中,所述第一NMOS管和第二NMOS管采用相同标准的CMOS工艺形成,且参数设置于输出功率的大小匹配。

4.如权利要求1或2所述的整流电路,其中,所述第一PMOS管和第二PMOS管采用相同标准的CMOS工艺形成,且参数设置于输出功率的大小匹配。

5.如权利要求1或2所述的整流电路,其中,所述第一PMOS管和第二PMOS管源极分别连接所述正负跳变的交流信号的正负极,漏极连接至输出电压,栅极相互连接。

6.如权利要求1所述的整流电路,其中,所述第三PMOS管的源极连接至输出电压,漏极连接至电容的上极板,栅极连接至第一PMOS管和第二PMOS管的栅极,且栅极与漏极相连。

7.如权利要求2所述的整流电路,其中,所述第三PMOS管的源极连接至输出电压,漏极连接至第三NMOS管的漏极,栅极连接至第一PMOS管和第二PMOS管的栅极,所述第三NMOS管的源极连接至电容的上极板,栅极连接至输出电压。

8.一种全集成隔离电源模块,其包括:

振荡器,用于将直流电压逆变成交流信号;

微型变压器,用于对所述交流信号进行耦合传输;

如权利要求1-7任一项所述的整流电路,用于对耦合传输后的交流电压进行整流,得到输出信号;

反馈控制器,用于检测输出电压的变化以稳定输出电压。

9.一种无源智能卡芯片,其包括:

天线,用于接收高频的交流信号;

如权利要求1-7任一项所述的整流电路,用于对接收到的交流信号进行整流滤波,以获得直流能量对所述无源智能卡芯片进行供电;

负载。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院自动化研究所,未经中国科学院自动化研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510829063.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top