[发明专利]一种带自举电路的整流电路在审
申请号: | 201510829063.2 | 申请日: | 2015-11-25 |
公开(公告)号: | CN105245121A | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 张峰;潘东方;李金良;刘姗姗 | 申请(专利权)人: | 中国科学院自动化研究所 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电路 整流 | ||
1.一种带自举电路的整流电路,其包括:
NMOS交叉耦合输入级电路,用于接收一个正负跳变的交流信号;
PMOS开关输出级电路,用于对接收到的所述交流信号实现整流并且提供输出电流;
自举电路,其包括二极管连接的PMOS管和电容,用于提供PMOS开关输出级的开启电压以抵消阈值损耗;
其中,所述交叉耦合连接的NMOS输入级电路包括交叉耦合连接的第一NMOS管和第二NOMS管;
所述PMOS开关输出级电路320包括栅极互联的第一PMOS管和第二PMOS管;
所述自举电路包括第三PMOS管和自举电容,所述第三PMOS管的源极接输出电压,漏极和栅极接所述自举电容,其利用二极管连接的第三PMOS管向所述自举电容提供充放电回路,并且使得所述自举电容充电至小于所述PMOS开关输出级电路中第一PMOS管或第二PMOS管MP2的源级一个阈值电压的电位。
2.如权利要求1所述的整流电路,其中,所述自举电路还包括第三NMOS管,其串接在所述第三PMOS管后,与所述第三PMOS管形成超低功率二极管。
3.如权利要求1或2所述的整流电路,其中,所述第一NMOS管和第二NMOS管采用相同标准的CMOS工艺形成,且参数设置于输出功率的大小匹配。
4.如权利要求1或2所述的整流电路,其中,所述第一PMOS管和第二PMOS管采用相同标准的CMOS工艺形成,且参数设置于输出功率的大小匹配。
5.如权利要求1或2所述的整流电路,其中,所述第一PMOS管和第二PMOS管源极分别连接所述正负跳变的交流信号的正负极,漏极连接至输出电压,栅极相互连接。
6.如权利要求1所述的整流电路,其中,所述第三PMOS管的源极连接至输出电压,漏极连接至电容的上极板,栅极连接至第一PMOS管和第二PMOS管的栅极,且栅极与漏极相连。
7.如权利要求2所述的整流电路,其中,所述第三PMOS管的源极连接至输出电压,漏极连接至第三NMOS管的漏极,栅极连接至第一PMOS管和第二PMOS管的栅极,所述第三NMOS管的源极连接至电容的上极板,栅极连接至输出电压。
8.一种全集成隔离电源模块,其包括:
振荡器,用于将直流电压逆变成交流信号;
微型变压器,用于对所述交流信号进行耦合传输;
如权利要求1-7任一项所述的整流电路,用于对耦合传输后的交流电压进行整流,得到输出信号;
反馈控制器,用于检测输出电压的变化以稳定输出电压。
9.一种无源智能卡芯片,其包括:
天线,用于接收高频的交流信号;
如权利要求1-7任一项所述的整流电路,用于对接收到的交流信号进行整流滤波,以获得直流能量对所述无源智能卡芯片进行供电;
负载。
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