[发明专利]磁控溅射镀膜装置及其靶装置

权利要求书

1.一种用于磁控溅射镀膜装置的靶装置，其特征在于，包括：

溅射靶材安装座(21)；

靶材承载板(22)，设置在所述溅射靶材安装座(21)上，所述靶材承载板(22)用于承载靶材(24)；

磁极装置(23)，设置在所述溅射靶材安装座(21)的背向所述靶材承载板(22)的表面上，所述磁极装置(23)用于在所述靶材(24)的表面产生水平磁场的；

其中，所述磁极装置(23)与所述靶材承载板(22)的对应边沿具有预定间隔。

2.根据权利要求1所述的靶装置，其特征在于，所述磁极装置(23)在所述靶材承载板(22)的左侧边沿之外的第一预定位置到所述靶材承载板(22)的右侧边沿之外的第二预定位置之间作往复运动。

3.根据权利要求2所述的靶装置，其特征在于，所述磁极装置(23)在所述靶材承载板(22)的左侧边沿之外的第一预定位置到所述靶材承载板(22)的右侧边沿之外的第二预定位置之间作往复直线运动。

4.根据权利要求2或3所述的靶装置，其特征在于，所述靶材承载板(22)的左侧边沿与所述第一预定位置之间的间隔区域为第一间隔区域，所述靶材承载板(22)的右侧边沿与所述第二预定位置之间的间隔区域为第二间隔区域；其中，所述第一间隔区域的宽度等于所述第二间隔区域的宽度。

5.根据权利要求4所述的靶装置，其特征在于，所述第一预定位置与所述第二预定位置之间形成从所述第一预定位置到所述第二预定位置顺序排布地第一加减速区(23a)、平均速度区(23b)、第二加减速区(23c)；

其中，所述第一加减速区(23a)相对于所述第一间隔区域；所述平均速度区(23b)相对于所述靶材承载板(22)所占区域；所述第二加减速区(23c)相对于所述第二间隔区域。

6.根据权利要求5所述的靶装置，其特征在于，所述第一加减速区(23a)正对于所述第一间隔区域，并且所述第一加减速区(23a)的宽度与所述第一间隔区域的宽度相等。

7.根据权利要求5或6所述的靶装置，其特征在于，所述第二加减速区(23c)正对于所述第二间隔区域，并且所述第二加减速区(23c)的宽度与所述第二间隔区域的宽度相等。

8.根据权利要求1所述的靶装置，其特征在于，所述靶材承载板(22)由铜制成。

9.一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的靶装置。