[发明专利]一种无压烧结碳化硅制品用碳化硅微粉的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于微粉微粉处理技术领域，具体涉及一种无压烧结碳化硅制品用碳化硅微粉的制备方法。

背景技术

碳化硅陶瓷材料由于具有耐磨、耐腐蚀、高硬度以及具有较高的温度、强度等特点，因而近十多年，在国计民生的各个领域中得到了日益广泛的应用，在航空航天、核工业、石油工业、化学工业、轻纺工业、食品工业等需要在高温、高速耐腐蚀、真空电绝缘、无磁、干摩擦等特殊环境下，作为一种新型陶瓷材料，其不可缺少的替代作用，正在被人们逐渐地认识，得到了广泛的应用。现有的无压烧结碳化硅制品专用碳化硅微粉的制备方法一是悬浮法二是研磨法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供了一种工作效率高，用水量少，生产成本低，可连续进行生产的无压烧结碳化硅制品用碳化硅微粉的制备方法。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是无压烧结碳化硅制品专用碳化硅微粉的制备方法，其特征在于包括步骤：

混浆 将碳化硅颗粒按重量比1∶2-3与水混合搅拌；水可采用纯净水，以提高产品质量和分散性能，多采用D50为3-5um的碳化硅颗粒。

研磨 研磨后碳化硅微粉粒度D50值在0.2um-0.5um；研磨可采用立式多盘研磨机不间断的循环进行；

提纯 将分离后碳化硅微粉进行酸碱洗提纯；酸碱洗可以采用常规的方式进行酸碱洗，且酸洗过量酸如硫酸、盐酸进行酸洗，而碱洗则可以采用氢氧化钠等进行碱洗，且酸洗和碱洗可依生产状况进行多次；

水洗 水洗，PH值5-6；

脱水、烘干 脱水后烘干并破团得无压烧结碳化硅制品专用碳化硅微 粉。

所述的研磨采用立式多盘研磨机，研磨采用的研磨介质为粒径3-5mm的单晶碳化硅。

所述烘干温度100-150℃，时间30小时-50小时。

生产的专用碳化硅微粉粒度D50值0.2um-0.5um、比表面积(BET)8m2/g-30m2/g、碳化硅纯度≥97.5wt％、烧结温度2100-2200℃、烧结密度3.10±0.08g/m3。

采用本发明的方法生产无压烧结碳化硅制品专用碳化硅微粉，操作方便，生产中的工作效率高，用水量少，生产成本低，可连续加料和放料进行生产，生产能力高，生产效率高，生产的产品稳定，力度均匀。生产的无压烧结碳化硅制品专用碳化硅微粉质量高，烧结温度低，烧结密度高，完全能够适应生产中的需要。

具体实施方式

下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。

实施例一

无压烧结碳化硅制品用碳化硅微粉的制备方法，包括步骤：

混浆 将粒度D50＝3-5um的碳化硅按重量比1∶2与纯净水混合搅拌；

研磨 采用立式多盘研磨机不间断的循环进行，研磨介质为3-5mm碳化硅颗粒，研磨后碳化硅微粉粒度D50值0.40um；

提纯将分离后碳化硅微粉分别经硫酸和氢氧化钠进行酸洗和碱洗后提纯；

水洗 水洗，调整PH值5-6；

脱水、烘干 脱水后烘干并破团得无压烧结碳化硅制品专用碳化硅微粉，并包装，其中烘干温度150℃，时间30小时；

得碳化硅微粉粒度D50值0.40um、BET比表面积16m2/g、碳化硅含量97.9wt％、烧结温度2100℃、烧结密度3.18g/m3。

实施例二

无压烧结碳化硅制品用碳化硅微粉的制备方法，包括步骤：

混浆 将粒度D50＝3-5um的碳化硅按重量比1∶3与纯净水混合搅拌；

研磨 采用立式多盘研磨机不间断的循环进行，研磨介质为3mm碳化硅颗粒，研磨后碳化硅微粉粒度D50值在0.45um；

提纯 将分离后碳化硅微粉分别经硫酸和氢氧化钠进行酸洗和碱洗后提纯；

水洗 水洗，调整PH值5-6；

脱水、烘干 脱水后烘干并破团得无压烧结碳化硅制品专用碳化硅微粉，并包装，其中烘干温度100℃，时间50小时；

得碳化硅微粉粒度D50值0.5um、比表面积(BET)8m2/g、碳化硅纯度大于98.9wt％、烧结温度2200℃、烧结密度3.13g/m3。

采用本发明的方法生产无压烧结碳化硅制品专用碳化硅微粉，操作方便，生产中的工作效率高，用水量少，生产成本低，可连续加料和放料进行生产，生产能力高，生产效率高，生产的产品稳定，力度均匀。生产的无压烧结碳化硅制品专用碳化硅微粉质量高，烧结温度低，烧结密度高，完全能够适应生产中的需要。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。