[发明专利]一种纳米导电复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种纳米导电复合薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤1，将氧化石墨烯和聚乙烯吡咯烷酮在去离子水中超声搅拌1h后通入N2；然后加入FeCl2·4H2O和FeCl3·6H2O；之后逐滴加入氨水使溶液的pH值为11，高速搅拌反应后，将温度升高到70℃熟化1h；然后停止通入N2，逐滴加入水合肼，在98℃条件下高速搅拌2h，用去离子清洗后，并配制成浓度为0.25mg/ml的RGO-Fe3O4溶液，其中，FeCl2·4H2O与氧化石墨烯的质量比为1：0.5～1.5；FeCl3·6H2O与氧化石墨烯的质量比为1：0.2～0.6；水合肼和氧化石墨烯的质量比为10：1；

步骤2，将聚乙烯醇溶液与RGO-Fe3O4溶液混合，超声搅拌至均匀，得到PVA/RGO-Fe3O4混合溶液；将PVA/RGO-Fe3O4混合溶液倒入聚苯乙烯皿中，30～35℃下放置于长方形磁铁上静置12h，然后室温干燥，即得纳米导电复合薄膜，其中，聚乙烯醇溶液与RGO-Fe3O4溶液的体积比为1：1～1.5。

2.根据权利要求1所述的纳米导电复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中氧化石墨烯的制备方法为：将可膨胀石墨加入到浓度为98％的浓H2SO4里，在冰水浴中搅拌，然后逐渐加入KMnO4反应，控制反应温度在10～15℃，反应进行2h，随后在35℃恒温水浴中继续反应1h；先后加入去离子水和浓度30％的H2O2，搅拌均匀后趁热过滤，得到糊状混合物，先用浓度为5％的HCl溶液洗涤，再用去离子水反复洗涤直至滤液中无SO42-，然后利用超声作用将其分散于去离子水中，最后在50℃下干燥48h得到氧化石墨烯。

3.根据权利要求2所述的纳米导电复合薄膜的制备方法，其特征在于，每100ml浓H2SO4里加入2～4g可膨胀石墨。

4.根据权利要求2所述的纳米导电复合薄膜的制备方法，其特征在于，KMnO4的质量为可膨胀石墨质量的3～5倍。

5.根据权利要求2所述的纳米导电复合薄膜的制备方法，其特征在于，浓H2SO4、去离子水和H2O2的体积比为100：400～800：5～10。

6.根据权利要求2所述的纳米导电复合薄膜的制备方法，其特征在于，HCl溶液的体积为糊状物体积的1～2倍。

7.根据权利要求1所述的纳米导电复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中氧化石墨烯和聚乙烯吡咯烷酮的质量比为1：1～2。