[发明专利]一种制备孔径可控的双相钙磷复合陶瓷支架的方法

权利要求书

1.一种制备孔径可控的双相钙磷复合陶瓷支架的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，分别制备纳米羟基磷灰石与纳米β-磷酸三钙粉体；

步骤2，将所述纳米羟基磷灰石、所述纳米β-磷酸三钙粉体与表面活性剂及造孔剂均匀混合，研磨过筛得到混合粉体；

步骤3，将发泡剂配置成发泡剂溶液，再将所述发泡剂溶液滴入所述混合粉体中，搅拌得到粘稠状浆料，室温晾干得到陶瓷胚体；

步骤4，将所述陶瓷胚体发泡及脱水，再进行烧结除去所述陶瓷胚体中的所述表面活性剂、所述造孔剂及所述发泡剂后，得到所述双相钙磷复合陶瓷支架。

2.根据权利要求1中所述的一种制备孔径可控的双相钙磷复合陶瓷支架的方法，其特征在于，步骤1中，制备所述纳米羟基磷灰石采用化学沉淀法、水热法、溶胶凝胶法之中的一种；制备所述纳米β-磷酸三钙粉体采用化学沉淀法、水热法、溶胶凝胶法之中的一种。

3.根据权利要求1中所述的一种制备孔径可控的双相钙磷复合陶瓷支架的方法，其特征在于，步骤1中，制备所述纳米羟基磷灰石和所述纳米β-磷酸三钙粉体使用的钙源为氯化钙、氢氧化钙、硝酸钙、氧化钙或乙醇钙之中的一种，使用的磷源为磷酸、磷酸氢二钾、磷酸二氢钠、磷酸钠或磷酸氢二铵之中的一种；制备所述纳米羟基磷灰石与纳米β-磷酸三钙粉体的钙磷比分别为1.67和1.5。

4.根据权利要求1中所述的一种制备孔径可控的双相钙磷复合陶瓷支架的方法，其特征在于，步骤1中，制备所述纳米羟基磷灰石所需的pH为9～11，制备所述纳米β-磷酸三钙粉体所需的pH为8～10。

5.根据权利要求1中所述的一种制备孔径可控的双相钙磷复合陶瓷支架的方法，其特征在于，步骤2中，所述混合粉体的总量为0.5～1.0g，其中所述纳米羟基磷灰石与所述纳米β-磷酸三钙粉体的比例为2:8、3:7、4:6、5:5、6:4、7:3或8:2之中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种制备孔径可控的双相钙磷复合陶瓷支架的方法，其特征在于，步骤2中，所述表面活性剂为十二烷基硫酸钠或十二烷基磺酸钠之中的一种，所述表面活性剂的使用量为0.3～1.0g；所述造孔剂为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯或聚苯乙烯之中的一种，所述造孔剂的使用量为0.1～0.4g。

7.根据权利要求1中所述的一种制备孔径可控的双相钙磷复合陶瓷支架的方法，其特征在于，步骤2中，所述研磨是指采用球磨或研钵进行研磨；所述筛的筛网为50目、60目、80目或120目之中的一种。

8.根据权利要求1所述的一种制备孔径可控的双相钙磷复合陶瓷支架的方法，其特征在于，步骤3中，所述发泡剂溶液为碳酸氢铵水溶液或过氧化氢水溶液，所述发泡剂溶液的体积为0.5～3mL。

9.根据权利要求1中所述的一种制备孔径可控的双相钙磷复合陶瓷支架的方法，其特征在于，步骤3中，所述室温晾干时间为10～100min。

10.根据权利要求1中所述的一种制备孔径可控的双相钙磷复合陶瓷支架的方法，其特征在于，步骤4中，所述发泡的温度为30～50℃，所述发泡的时间为30～120min；所述脱水的温度为70～95℃，所述脱水的时间为90～150min；所述烧结的温度为900～1200℃，升温速率为2～10℃/min。