[发明专利]单烷基取代含H键异靛蓝单体及其共聚物的制备、用途

权利要求书

1.一种基于单烷基取代含H键异靛蓝单体，其特征在于，所述单体的结构式如式 I所示：

其中，R₁为C₈～C₂₀烷基链。

2.一种如权利要求1所述的基于单烷基取代含H键异靛蓝单体的制备方法，其特 征在于，所述制备方法包括如下步骤：

S1、在以碳酸钾为催化剂，N，N-二甲基酰胺为溶剂的条件下，化合物R₁-I与6-溴 靛红反应，生成化合物1其中R₁为C₈～C₂₀烷基链；

S2、化合物1在盐酸的催化作用下，在醋酸溶液中，与6-溴吲哚反应合成目标单体 IIDH，即所述基于单烷基取代含H键异靛蓝单体。

3.根据权利要求2所述的基于单烷基取代含H键异靛蓝单体的制备方法，其特征 在于，步骤S1中，所述化合物R₁-I与6-溴靛红的摩尔比为1∶1～3∶1，反应温度为70～ 100℃。

4.根据权利要求2所述的基于单烷基取代含H键异靛蓝单体的制备方法，其特征 在于，步骤S2中，所述化合物1与6-溴吲哚的摩尔比为1∶1～1.1∶1，反应温度为80～ 130℃。

5.一种如权利要求1所述的基于单烷基取代含H键异靛蓝单体在制备半导体材料 中的用途，其特征在于，所述半导体材料由所述基于单烷基取代含H键异靛蓝单体与苯 并二噻吩双锡聚合而得。

6.一种基于单烷基取代含H键异靛蓝单体的苯并二噻吩双锡共聚物，其特征在于， 所述共聚物的结构式如式II或式III所示：

其中，R₁、R₂为C₈～C₂₀烷基链， 100＞n＞1。

7.一种根据权利要求6所述的基于单烷基取代含H键异靛蓝单体的苯并二噻吩双 锡共聚物的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在以Pd(dba)₃为催化剂、P(o-tol)₃为配体、无水甲苯为溶剂的条件下，所述单体HIID与苯并二噻吩双锡 聚合，经索氏提取，即得 所述共聚物；其中，R₂为C₈～C₂₀烷基链。

8.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述基于单烷基取代含H键异 靛蓝单体与苯并二噻吩双锡的摩尔比为1∶1～1∶1.2，反应温度为60～120℃，反应时间 为2～48小时。

9.一种根据权利要求6所述的基于单烷基取代含H键异靛蓝单体的苯并二噻吩双 锡共聚物与PC₇₁BM共混作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。