[发明专利]制备可畸变的光学元件阵列的方法

权利要求书

1.一种制备工具(410)的方法，所述工具(410)用以生产可畸变光学元件(20)的阵列(18)，所述方法的步骤包括：

提供基片(110/210)，所述基片(110/210)具有在其上带有形成元件(120/220)的第一表面(116/216)，其中所述形成元件(120/220)的几何形状相当于模拟阵列(18＇)中无畸变光学元件(20＇)的几何形状；及

控制加工所述基片(110/210)的所述第一表面上的局部区域(130/230)，所述加工的程度足以使包括和围绕所述局部区域(130/230)的受影响位置(140/240)上的所述形成元件(120/220)发生畸变，所述加工步骤使一个或多于一个所述形成元件(120/220)的二面角不等于90°；

其中执行所述控制加工步骤以便所述阵列(18)的总反向反射率至少是所述模拟阵列(18＇)的总反向反射率的90％，优选地所述阵列(18)的总反向反射率至少是所述模拟阵列(18＇)的总反向反射率的94％，更优选地所述阵列(18)的总反向反射率至少是所述模拟阵列(18＇)的总反向反射率的98％；

其中所述控制加工是以控制模式来进行增加、移除、修改、扭曲、变形、或干扰；

其中所述局部区域是所述阵列(18)中非常小的区域，在其上执行所述控制加工；

其中所述受影响位置是包括和围绕所述局部区域的区域，其中在所述局部区域中应用控制加工使所述形成元件发生畸变；

其中所述受影响位置(140/240)上的所述形成元件120/220的变化是不一致的，并且其变化取决于与所述局部区域(130/230)之间的距离；及

将如此加工的基片(116/216)或其一个或多个复制品组装到生产工具(M10)上。

2.根据前面权利要求所述的方法，其中执行所述的加工步骤以便所述阵列(18)的平均几何发散比所述模拟阵列(18＇)的平均几何发散大。

3.根据前面任何一个权利要求所述的方法，其中所述光学元件(20)是反向反射元件。

4.根据前面任何一个权利要求所述的方法，其中所述光学元件(20)是立体角元件。

5.根据前面任何一个权利要求所述的方法，其中所述光学元件(20)是微型光学元件。

6.根据前面任何一个权利要求所述的方法，其中所述光学元件(20)是微型立方体。

7.根据前面任何一个权利要求所述的方法，其中所述加工步骤导致一个或多于一个所述形成元件(120/120/220)的二面角不等于90度。

8.根据权利要求1-7中任何一个所述的方法，其中所述基片(110)是主体基片。

9.根据权利要求1-7中任何一个所述的方法，其中所述基片(110)是另一个基片(110/210)的复制品。

10.根据权利要求1-7中任何一个所述的方法，其中所述基片(210)是组装基片。

11.根据前面任何一个权利要求所述的方法，其中当所述基片(110/210)仍然附加电铸复制品(110/210)时，执行所述加工步骤。

12.根据前面任何一个权利要求所述的方法，其中所述加工程度足够小以便基本上不损坏所述形成元件(120/220)的面(122/222)的平滑度。

13.根据前面任何一个权利要求所述的方法，其中所述加工程度足够小以便基本上不损坏所述形成元件(120/220)的边缘(126/226)的锐度。

14.根据权利要求1-13中任何一个所述的方法，其中所述基片(110/210)的厚度范围大约是0.01-2.0毫米。

15.根据权利要求1-13中任何一个所述的方法，其中所述基片(110/210)的厚度范围大约是2.0-10.0毫米。

16.根据权利要求1-13中任何一个所述的方法，其中所述基片(110/210)的厚度大于10.0毫米。

17.根据权利要求1-16中任何一个所述的方法，其中所述基片(110/210)是由金属制成。

18.根据前面的权利要求所述的方法，其中所述金属是电铸镍。