[发明专利]一种UHF局部放电测量装置的校准方法

说明书

本发明提供了一种UHF局部放电测量装置的校准方法，包括步骤1：构建场强测量系统；步骤2：将UHF局部放电测量装置和参考场强仪置于场强测量系统内，测量同一个电场的场强；步骤3：比较UHF局部放电测量装置和参考场强仪的输出信号，确定UHF局部放电测量装置的测量准确度。与现有技术相比，本发明提供的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，通过建立一个相对稳定的电场环境，回避射频信号源在测量环境中衰减过大，难以控制的问题。

技术领域

本发明涉及高压输变电工程状体检修设备计量领域，具体涉及一种UHF局部放电测量装置的校准方法。

背景技术

UHF局部放电检测是测量GIS绝缘状况的有效手段，用于定量的测量GIS局部放电的电场信号，如果UHF局部放电检测装置无法有效检测GIS内部放电情况，将会造成GIS绝缘的破坏，从而造成相关事故的发生。运行经验表明，现阶段国内外各种型号的UHF局部放电检测装置的计量性能良莠不齐，迫切需要一种行之有效的UHF局部放电测量装置的校准方法来对各类UHF局部放电检测仪进行校准。

发明内容

为了满足现有技术的需要，本发明提供了一种UHF局部放电测量装置的校准方法。

本发明的技术方案是：

所述方法包括：

步骤1：构建场强测量系统；

步骤2：将所述UHF局部放电测量装置和参考场强仪置于所述场强测量系统内，测量同一个电场的场强；

步骤3：比较所述UHF局部放电测量装置和参考场强仪的输出信号，确定UHF局部放电测量装置的测量准确度。

优选的，所述场强测量系统包括射频信号源、功率放大器、GTEM小室和频谱仪；

所述射频信号源与功率放大器连接，该功率放大器通过同轴传输线接入GTEM小室；

所述参考场强仪放置在GTEM小室内，该参考场强仪的场强探头与频谱仪连接；

优选的，所述参考场强仪为全向场强仪；所述同轴传输线为50Ω带状传输线；

优选的，所述UHF局部放电测量装置包括主机和待测传感器；所述主机接收待测传感器的输出信号；

步骤2中将所述待测传感器与参考场强仪放置在所述GTEM小室的同一个测试区域内；

优选的，所述功率放大器包括第一放大器和第二放大器；

所述第一放大器的输出频率为300MHz～1GHz；

所述第二放大器的输出频率为800MHz～3GHz；

优选的，所述GTEM小室的测试区域的频率范围为300MHz～3GHz；

优选的，所述GTEM小室的测试区域的不确定度为±1dB；

优选的，所述射频信号源的输出信号为300MHz～3GHz的连续信号。

与最接近的现有技术相比，本发明的优异效果是：

1、本发明提供的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，通过建立一个相对稳定的电场环境，回避射频信号源在测量环境中衰减过大，难以控制的问题；

2、本发明提供的一种UHF局部放电测量装置的校准方法，采用了300MHz～1GHz和800MHz～3GHz两个频率范围的放大器，解决了UHF局部放电频带较宽难以测量的问题。

附图说明

下面结合附图对本发明进一步说明。

图1：本发明实施例中场强测量系统结构示意图。