[发明专利]一种液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示面板。

背景技术

图1显示了一种现有技术中的液晶显示面板。参照图1，在液晶显示面板的阵列基板的设置有薄膜晶体管的区域中：在第一玻璃基板1上设置有用于阻挡漏光的遮光结构2(LightShield,LS)。在遮光结构2之上覆盖有缓冲层3。在缓冲层3之上设置有低温多晶硅层4。低温多晶硅层4作为晶体管中的半导体沟道。缓冲层3用于阻挡遮光结构2和低温多晶硅层4之间的电连通。低温多晶硅层4划分为多个不同程度掺杂的区域，例如高掺杂区域、低掺杂区域和无掺杂区域。低温多晶硅层(LowTemperaturePolySilicon,LTPS)4与薄膜晶体管的源极8和漏极9相连。在低温多晶硅层4之上设置有栅极绝缘层(GateInsulator,GI)5，栅极绝缘层(GateInsulator,GI)5上设置有薄膜晶体管的栅极6。栅极绝缘层(GateInsulator,GI)5用于阻止栅极6和低温多晶硅层4之间的电接通。在栅极6和薄膜晶体管的源极8、漏极9之间布置有间绝缘层(InterlayerDielectric,ILD)7。在薄膜晶体管的源极8、漏极9之上覆盖有PLN绝缘层10。在图1所示的液晶显示面板的阵列基板的未设置有薄膜晶体管的区域中：在第一玻璃基板1上覆盖有缓冲层3。在缓冲层3之上设置有与栅极绝缘层(GateInsulator,GI)5位于同一层中的第一绝缘层5。在第一绝缘层5上，设置有与间绝缘层(InterlayerDielectric,ILD)7位于同一层中的第二绝缘层7。在第二绝缘层7之上，设置有与PLN绝缘层10位于同一层中的第三绝缘层10。在第三绝缘层10之上设置有公共电极层11。在公共电极层11之上设置有电极绝缘层12。在电极绝缘层12之上设置有与薄膜晶体管的漏极9相连的像素电极层13。电极绝缘层12用于阻止公共电极层11和像素电极层13之间的电连通。像素电极层13通过过孔19与薄膜晶体管的漏极9相连。

另一侧，在该液晶显示面板的彩膜基板上：在第二玻璃基板18上的特定位置处设置有黑色矩阵17，用于阻挡漏光。在黑色矩阵17和第二玻璃基板18之外覆盖有色阻层16。在色组层16之外设置有保护层15。在保护层15之外，在彩膜基板的特定位置处，设置有隔离子14。隔离子14用于保持液晶盒的两个基板之间的距离。

可见，在传统的低温多晶硅(LowTemperaturePolySilicon,LTPS)面板制程中，彩色滤光片一侧的基板上会沉积一层柱状的隔离子(PhotoSpacer,PS)14，以用于支撑上基板，使得上下基板之间形成一定的盒厚(即液晶间隙)。隔离子14的位置一般放置于面板可视区(AA)的黑色矩阵(BM)的横向与纵向的交界处，避免损失像素的开口率。

在薄膜晶体管阵列的基板的像素中，用于导通漏极9与像素电极13的PLN孔19较大。在进行液晶盒对组或者弯曲时，由于隔离子14到PLN孔19的距离较小，隔离子14很容易滑入PLN孔19中。这样会形成基板中央的盒厚不均，出现显示异常。当每英寸的像素数(PixelPerInch,PPI)越大时，隔离子14到PLN孔19距离越小，隔离子14滑入到PLN孔19中的几率就越大。

发明内容

针对上述现有技术中的问题，即由于隔离子到PLN孔的距离较小，隔离子很容易滑入PLN孔中，这样会形成基板中央的盒厚不均以及因此造成显示不良，本发明提出了一种改进的液晶显示面板。

本发明提出了一种液晶显示面板，所述液晶显示面板的阵列基板包括至少两个像素单元，每一所述像素单元包括：沿第一方向延伸的扫描线；沿不同于第一方向的第二方向延伸的数据线；以及薄膜晶体管，其中，至少一部分的相邻的两个像素单元彼此镜像对称地布置。薄膜晶体管以功能性连接的方式布置在像素电极和数据线之间，即薄膜晶体管通过栅极开关控制源漏极导通与否、从而适时地将数据线的信号灌入像素电极中。

本发明提供了一种新型的面板走线设计，使得隔离子能够避开PLN过孔，有效防止了面板在液晶盒对组或者在弯曲测试时出现隔离子滑入PLN过孔的现象。

在一个实施方案中，在第二方向上两两相邻的两个像素单元以扫描线相邻平行延伸的方式彼此镜像对称地布置，对称面垂直于所述阵列基板的表面且平行于所述扫描线。在本实施例中，将上下相邻的两个像素单元中的第n条扫描线与第n+1条扫描线靠近布线，两条相邻平行延伸的扫描线分别控制上一行的像素与下一行的像素。相对于现有技术中的液晶显示面板，隔离子的位置不发生改变，这样能很好地避开第一过孔的限制。