[发明专利]一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种功率放大器电路，尤其涉及一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路。

背景技术

HEMT功率放大器在现代通讯领域越来越重要，尤其是当HEMT的线宽越来越低时，器件表现的高频性能越来越好。本发明的共源共栅HEMT电路能够更优秀地体现HEMT器件在功率放大器领域的性能。

功率管制造中对版图的布局要求非常高。相同的电路，不合理的版图布局会使功率管的功率合成能力差，甚至导致放大器烧坏；合理的版图布局可以使功率合成得更好，从而提升放大器性能。

发明内容

本发明所要解决的主要技术问题是提高E-HEMT功率放大器性能。

为了解决上述的技术问题，本发明提供了一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，包括至少一级信号放大电路；

所述信号放大电路中的隔直电容Cb1一端与输入信号连接，另一端接EHEMT晶体管Q1的栅极，Q1的源极接地，Q1的漏极接E-HEMT晶体管Q1a的源极，Q1a的漏极通过电感L1接电源；Q1a的栅极通过 电阻R1接电源、也通过电容C1接地；Q1a的漏极接信号输出。

在一较佳实施例中：所述信号放大电路为两极；第一级信号放大电路中的E-HEMT晶体管Q1a的漏极串接第二级信号放大电路中隔直电容Cb2到E-HEMT晶体管Q2的栅极，Q2的源极接地，Q2的漏极接E-HEMT晶体管Q2a的源极，Q2a的漏极通过电感L2接电源；Q2a的栅极通过电阻R2接电源，也通过电容C2接地；Q2a的漏极接信号输出。

在一较佳实施例中：所述E-HEMT晶体管Q1和Q2的源极分别通过电阻或者电感接地；所述E-HEMT晶体管Q1和Q2的栅极分别通过电阻接隔直电容Cb1、Cb2，所述E-HEMT晶体管Q1和Q2的栅极分别通过电容接E-HEMT晶体管Q1和Q2的源极；所述E-HEMT晶体管Q1a和Q2a的漏极分别通过电阻串联电感L1、L2接电源

相较于现有技术，本发明的技术方案具备以下有益效果：

本发明在传统E-HEMT放大器基础上，把每级中的单管放大改进为共源共栅放大，使得放大器的增益增大。通过调整共源共栅放大器的偏置电路电流，使共源共栅管偏置在合理的位置。再在共栅管的栅极增加去耦电容，保证交流信号的零电位。使得放大器获得较高的效率和线性度。

附图说明

图1是传统的HEMT放大器电路结构图；

图2是传统的HEMT放大器电路版图；

图3是本发明的共源共栅增强型HEMT电路图；

图4本发明的共源共栅增强型HEMT电路版图。

具体实施方式

下文通过附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。

如图1所示，传统的HEMT功率放大电路输入信号先通过隔直电容Cb1,再接到单晶体管Q1的栅极，再由晶体管Q1的集电极接到交流耦合电容Cb2上，再由Cb2接到单晶体管Q2的栅极上，最后由晶体管Q2的集电极输出放大后的信号。晶体管Q1和Q2的源极都接地，漏极分别通过电感L1和L2馈电。其电路版图如图2所示，一个晶体管单元由源极区域S，栅极区域G，漏极区域D组成。源极区域S是矩形，栅极区域G是单个U形，漏极区域D是两个矩形。栅极区域G包围源极区域S的上，下，左三侧。漏区域D的两个矩形分别位于栅极区域G的上，下两侧。多个类似形状的晶体管单元由上往下排列组成晶体管列。晶体管列中相邻的两个集电极矩形可以合并成一个矩形。功率管的地由一个或多个通孔BV与金属层M1组成。两列晶体管列对称地位于BV与M1组成的地的两左右两侧。信号输入端Pin通过多个分布电容连接到两列晶体管列中的栅极。

图3是本发明的一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，包括至少一级信号放大电路；本实施例为两级放大的情况，其余级数在本实施例的基础上简单增加或删减即可，不再赘述。

第一级信号放大电路中的隔直电容Cb1一端与输入信号连接， 另一端接EHEMT晶体管Q1的栅极，Q1的源极接地，Q1的漏极接E-HEMT晶体管Q1a的源极，Q1a的漏极通过电感L1接电源；Q1a的栅极通过电阻R1接电源、也通过电容C1接地；Q1a的漏极接信号输出。