[发明专利]低功耗动态跨导补偿Class-AB音频功率放大器在审

专利信息
申请号: 201510807984.9 申请日: 2015-11-19
公开(公告)号: CN105305970A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 唐枋;舒洲;叶楷;周喜川;胡盛东;甘平;李世平;殷鹏;陈卓;陈银晖;谭跃;王忠杰;黄莎琳;李明东 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/20;H03F3/45
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400044 重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 功耗 动态 补偿 class ab 音频 功率放大器
【权利要求书】:

1.一种低功耗动态跨导补偿Class-AB音频功率放大器,其特征在于:

包括套筒式输入级(stage1)、电流折叠式第二级(stage2)和推挽式Class-AB第三级(stage3),所述套筒式输入级的输出端通过电容Cm1与推挽式Class-AB第三级的输出端连接,所述电流折叠式第二级的输出端通过补偿电容与推挽式Class-AB第三级的输出端连接;所述电流折叠式第二级包括电流检测电路,所述电流检测电路用于检测推挽式Class-AB第三级的输出电流信号,所述电流检测电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端和第三输出端,所述第一输出端、第二输出端和第三输出端的电流根据第一输入端、第二输入端的电流改变而改变。

2.根据权利要求1所述的低功耗动态跨导补偿Class-AB音频功率放大器,其特征在于:所述套筒式输入级包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M34,NMOS管M3~NMOS管M6,所述PMOS管M34的源极接电源AVDD,PMOS管M34漏极分别与PMOS管M1的源极、PMOS管M2的源极连接,所述PMOS管M34的栅极接控制信号VbP,PMOS管M1的漏极与NMOS管M5的漏极连接,PMOS管M1的栅极接控制信号VIP,PMOS管M2的栅极接控制信号VIN,PMOS管M2的漏极与NMOS管M6的漏极连接,M5的栅极与M6的栅极连接,NMOS管M5的源极与NMOS管M3的漏极连接,NMOS管M6的源极与NMOS管M4的漏极连接,NMOS管M3的栅极与NMOS管M4的栅极分别接控制信号Vbn,NMOS管M3的源极与NMOS管M4的源极分别接地。

3.根据权利要求2所述的低功耗动态跨导补偿Class-AB音频功率放大器,其特征在于:所述电流折叠式第二级包括PMOS管M9~PMOS管M14、PMOS管M24、PMOS管M26、PMOS管M28、PMOS管M32、PMOS管M33,NMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M15、NMOS管M16、NMOS管M21~NMOS管M23、NMOS管25、NMOS管M29、NMOS管M30、NMOS管M31,还包括电流检测电路、第一运放和第二运放;

所述PMOS管M9的源极与PMOS管M10的源极接电源分别接电源AVDD,PMOS管M9的栅极与PMOS管M34的栅极连接,PMOS管M9的漏极与PMOS管M32的源极连接,PMOS管M10的漏极与PMOS管M33的源极连接,PMOS管M32的漏极分别与PMOS管M33的漏极、PMOS管M10的栅极、NMOS管M31的漏极、NMOS管M30的漏极、PMOS管M24的源极连接,所述NMOS管M30的栅极与NMOS管M6的栅极连接,NMOS管M30的源极与NMOS管M7的漏极连接,NMOS管M7的源极接地,NMOS管M7的栅极分别与NMOS管M6的漏极、NMOS管M21的漏极连接,NMOS管M21的源极分别与M22的漏极、M8的栅极连接,M22的源极与M23的栅极连接,M23的漏极与源极同时接地,NMOS管M31的栅极与NMOS管M30的栅极连接,NMOS管M31的源极与NMOS管M8的漏极连接,NMOS管M8的源极接地,PMOS管M24的漏极与NMOS管M25的栅极连接,NMOS管M25的源极与漏极同时接地;

所述NMOS管M21的栅极与电流检测电路的第一输出端连接,NMOS管M22的栅极与电流检测电路的第二输出端连接,NMOS管M24的栅极与电流检测电路的第三输出端连接,PMOS管M32的栅极、PMOS管M33的栅极、PMOS管M13的栅极分别接控制信号VbPcas,所述PMOS管M11的源极、PMOS管M12的源极分别接电源AVDD,PMOS管M11的栅极、PMOS管M12的栅极与PMOS管M10的栅极连接,PMOS管M11的漏极与PMOS管M13的源极连接,所述PMOS管M13的漏极分别与NMOS管M15的漏极、NMOS管M16的源极、第二运放的反向输入端连接,第二运放的正向输入端接控制信号Vncas,第二运放的输出端与NMOS管M15的栅极连接,NMOS管M16的栅极接控制信号Vbn,NMOS管M15的漏极分别与NMOS管M29源极、PMOS管M28的漏极、电流检测电路的第一输入端VNN连接,NMOS管M29的栅极接控制信号Vbn,PMOS管M28的栅极接控制信号VPrtP,PMOS管M28的源极与PMOS管M26的漏极连接,PMOS管M26的栅极接控制信号VbP,NMOS管M29的漏极与NMOS管M27的源接连接,NMOS管M27的栅极接控制信号VPrtn,NMOS管M27的漏极、PMOS管M26的源极分别与电流检测电路的第二输入端VNP连接,PMOS管M26的源极与PMOS管M14的漏极连接,PMOS管M14的栅极与第一运放的输出端连接,第一运放的正向输入端接控制信号VPcas,第一运放的反向输入端分别与PMOS管M14的源极、PMOS管M12的漏极连接。

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