[发明专利]磁控直流溅射系统的腔体保护装置在审
| 申请号： | 201510806326.8 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105316637A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 史进;伍志军 | 申请（专利权）人： | 苏州赛森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 顾进 |
| 地址： | 215699 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直流 溅射 系统 保护装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其包括有反应腔体，其特征在于，所述反应腔体之上设置有排水口，排水口的对应位置设置有泄压阀。
2.按照权利要求1所述的磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其特征在于，所述泄压阀之上连接有多根泄压管道，每一根泄压管道均连通至设置在反应腔体外部的回收容器。
3.按照权利要求2所述的磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其特征在于，所述泄压阀连接有至少三根泄压管道，三根泄压管道均连通至设置在反应腔体外部的泄压腔之中，所述泄压腔之上设置有连通至回收容器的排液管道。
4.按照权利要求3所述的磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其特征在于，泄压腔中，每一根泄压管道均对应设置有一个电磁阀对其进行控制。
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