[发明专利]芯片的阻挡层及其制备方法

权利要求书

1.一种芯片的阻挡层，其特征在于，所述阻挡层为多层金属薄膜层叠的结构，且所述阻挡层中至少一层金属薄膜具有非晶结构，

所述阻挡层中至少一层金属薄膜具有晶体结构，具有晶体结构的金属薄膜与具有非晶结构的金属薄膜交替设置，具有非晶结构的金属薄膜为钛钨氮薄膜。

2.根据权利要求1所述的芯片的阻挡层，其特征在于，具有晶体结构的金属薄膜为钛钨薄膜、钛薄膜、钨薄膜、钽薄膜、钼薄膜、钴薄膜或铂薄膜。

3.根据权利要求1所述的芯片的阻挡层，其特征在于，所述阻挡层包括一层具有非晶结构的金属薄膜和两层具有晶体结构的金属薄膜，该具有非晶结构的金属薄膜设置于两层具有晶体结构的金属薄膜之间。

4.根据权利要求3所述的芯片的阻挡层，其特征在于，所述具有晶体结构的金属薄膜为钛钨薄膜。

5.一种芯片的阻挡层的制备方法，形成如权利要求1-4之一所述的阻挡层，其特征在于，所述制备方法包括： 采用溅射工艺制备钛钨薄膜，制备时采用钛钨合金作为靶材并加载直流功率，采用氩气作为溅射气体； 采用溅射工艺制备钛钨氮薄膜，制备时采用钛钨合金作为靶材并加载直流功率，采用氩气和氮气作为溅射气体； 其中，制备钛钨薄膜的步骤和制备钛钨氮薄膜的步骤交替进行，无需更换靶材，无需更换溅射气体，也无需在制备好一种薄膜后制备另一种薄膜前中断溅射镀膜工艺。

6.根据权利要求5所述的芯片的阻挡层的制备方法，其特征在于，制备钛钨薄膜时，氩气的流量为5sccm～200sccm，直流功率为0～60kW，所制备的钛钨薄膜的厚度为5nm～300nm。

7.根据权利要求6所述的芯片的阻挡层的制备方法，其特征在于，制备钛钨薄膜时，氩气的流量为20sccm，直流功率为5kW，所制备的钛钨薄膜的厚度为20nm。

8.根据权利要求5所述的芯片的阻挡层的制备方法，其特征在于，制备钛钨氮薄膜时，氩气的流量为5sccm～200sccm，氮气的流量为5sccm～200sccm， 直流功率为0～60kW，所制备的钛钨氮薄膜的厚度为5nm～300nm。

9.根据权利要求8所述的芯片的阻挡层的制备方法，其特征在于，制备钛钨氮薄膜时，氩气的流量为20sccm，氮气的流量为20sccm，直流功率为5kW，所制备的钛钨氮薄膜厚度为10nm。