[发明专利]一种下转换荧光强度比测温技术的修正方法

权利要求书

1.一种下转换荧光强度比测温技术的修正方法，其特征在于它是按以下步骤进行的：一、激发源发出的脉冲激发光经过凸透镜汇聚照射到稀土离子掺杂的感温材料上，稀土离子掺杂的感温材料所发射的下转换荧光通过另一凸透镜汇聚入射到计算机控制的光栅光谱仪中，其中计算机控制的光栅光谱仪采集的荧光光谱具有两个荧光发射峰，分别为稀土离子两个相邻且存在热耦合关系的能级到下能级辐射跃迁所产生的荧光发射峰，上能级A发射的荧光波长短于下能级B发射的波长；二、将计算机控制的光栅光谱仪连接存储示波器，存储示波器进行不同温度下荧光衰变曲线的测量，得到不同温度下的下能级B荧光衰变曲线和上能级A荧光衰变曲线；计算机进行数据处理，给出修正系数，修正后的荧光强度比为FIR_c＝FIR·C₂/(C₁+C₂)，得到修正曲线；所述的上能级A为稀土离子两个相邻且存在热耦合关系的能级中的上能级；下能级B为稀土离子两个相邻且存在热耦合关系的能级中的下能级。

2.根据权利要求1所述的一种下转换荧光强度比测温技术的修正方法，其特征在于所述的激发源为405nm发光二极管。

3.根据权利要求1所述的一种下转换荧光强度比测温技术的修正方法，其特征在于所述的稀土离子掺杂的感温材料为Eu³⁺掺杂感温材料。

4.根据权利要求1所述的一种下转换荧光强度比测温技术的修正方法，其特征在于下能级B荧光强度I₁呈单e指数规律衰减：I₁＝C₀exp(-t/τ₀)，通过对不同温度下的下能级B荧光衰变曲线进行e指数拟合，获得不同温度下的拟合寿命τ₀；上能级A荧光强度I₂随时间t的衰变规律呈双e指数衰减：I₂(t)＝C₁exp(-t/τ₁)+C₂exp(-t/τ₂)，短寿命τ₁为能级本征寿命，长寿命τ₂与下能级的拟合寿命τ₀一致，C₁、C₂为拟合权重系数；固定τ_2＝τ₀，对不同温度下的上能级A荧光衰变曲线进行双e指数拟合，获得拟合参量C₁和C₂，再由C₂/(C₁+C₂)获得FIR的修正系数。

5.根据权利要求1或4所述的一种下转换荧光强度比测温技术的修正方法，其特征在于所述的温度为稀土离子掺杂的感温材料的温度敏感区间。