[发明专利]一种铜柱结构封装基板及其加工方法有效
申请号: | 201510795892.3 | 申请日: | 2015-11-18 |
公开(公告)号: | CN106711096B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 李飒;谷新;熊佳 | 申请(专利权)人: | 深南电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L21/48 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 徐翀 |
地址: | 518053 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铜柱 基板 结构封装 线路板 铜层 超厚 干膜 通孔 电镀铜工艺 高均匀性 通孔内壁 去除 钻孔 加工 暴露 | ||
本发明实施例公开了一种铜柱结构封装基板及其加工方法,用于解决现有技术中铜柱结构存在问题,使得铜柱结构封装基板上的铜柱结构具有高均匀性及高强度。本发明实施例方法包括:提供线路板,线路板具有基板、第二铜层及超厚干膜,超厚干膜处于线路板的一个面上;对线路板进行钻孔,形成铜柱通孔,并在铜柱通孔内壁形成第一铜层;通过电镀铜工艺,在铜柱通孔内形成铜柱;去除超厚干膜、第二铜层和暴露的第一铜层,得到铜柱结构封装基板。
技术领域
本发明涉及电子技术领域,具体涉及一种铜柱结构封装基板及其加工方法。
背景技术
堆叠封装技术可提高半导体电子元器件集成密度,满足电子封装的小型化、薄型化及高传输性的需求,其中铜柱结构封装基板是一项新技术路线,其优点主要有:1、采取铜柱互联能实现高性能的封装,主要表现在铜柱具有比焊球更低的电阻率,更有利于信号传输,铜柱互联具有比焊球互联更高的平均失效时间(铜柱结构的平均失效时间是焊球互联的2.3倍);2、铜具有极高的热导率(33W/m·℃,无铅焊接锡银铜热导率33W/m·℃),从而实现芯片向基板上迅速散热;3、对于给定的基板表面焊盘节距,采用铜柱互联具有比焊球互联更大的间隙,从而获得更好的可制造性和可靠性;4、可以实现基板上更高密度的布线,从而减小基板的层数和尺寸(减小基板尺寸约15%)。
目前铜柱制作方式主要采用“超厚干膜图形开窗-盲孔填孔电镀填窗-褪膜”的加工方式制作,这种加工方式工艺难度大、设备及物料成本昂贵。如图1所示,基板101具有内层图形102,连接面104连接铜柱103与内层图形102。铜柱103存在拱形顶部,减少了封装组装过程中有效接触面积并且尺寸难以控制均一;铜柱103底部的连接面104为电镀铜微蚀线和嵌入油墨层,铜柱103的结构的强度受到影响,以上缺陷使得铜柱结构封装基板的集成度和稳定性。
发明内容
本发明实施例提供了一种铜柱结构封装基板及其加工方法,用于解决现有技术中铜柱结构存在问题,使得铜柱结构封装基板上的铜柱结构具有高均匀性及高强度。
有鉴于此,本发明第一方面提供一种铜柱结构封装基板的加工方法,包括:
提供线路板,所述线路板具有基板、第二铜层及超厚干膜,所述超厚干膜处于所述线路板的一个面上;
对所述线路板进行钻孔,形成铜柱通孔,并在所述铜柱通孔内壁形成第一铜层;
通过电镀铜工艺,在所述铜柱通孔内形成铜柱;
去除所述超厚干膜、所述第二铜层和暴露的所述第一铜层,得到铜柱结构封装基板。
本发明第二方面提供一种铜柱结构封装基板,包括:
基板,所述基板具有铜柱通孔;
第一铜层,所述第一铜层处于所述铜柱通孔的内壁上;
铜柱,所述铜柱为圆柱形,所述铜柱部分处于所述铜柱通孔内,所述铜柱的一端与所述基板对齐,所述铜柱的另一端高于所述基板。
由上可见,与现有技术相比,具有如下有益效果:
铜柱在铜柱通孔内电镀铜形成,而铜柱通孔可以使用统一大小的钻头,因此铜柱的尺寸大小以及均匀度都可以有效的控制;铜柱穿过基板的铜柱通孔,一端与基板对齐,另一端高于基板,铜柱是一次成形的,不需要现有技术中的连接面进行固定,因此铜柱结构的强度提高了。
附图说明
图1为现有技术中铜柱结构封装基板的结构示意图;
图2a-图2i为本发明实施例中铜柱结构封装基板的加工过程的示意图;
图3为本发明实施例中铜柱结构封装基板的加工方法的流程示意图。
具体实施方式
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