[发明专利]三触点霍尔效应设备的系统和布置及相关方法

权利要求书

1.一种传感器系统，包括：

第一霍尔效应结构，包括第一霍尔效应区域以及被非线性地布置在所述第一霍尔效应区域的顶面处或顶面附近的第一、第二和第三触点，其中，在没有磁场的情况下，所述第一触点和所述第三触点之间的所述第一霍尔效应区域的电阻与在没有磁场的情况下所述第二触点和所述第三触点之间的所述第一霍尔效应区域的电阻基本上相同；

第二霍尔效应结构，包括第二霍尔效应区域以及被非线性地布置在所述第二霍尔效应区域的顶面处或顶面附近的第四、第五和第六触点，其中，在没有磁场的情况下所述第四触点和所述第六触点之间的所述第二霍尔效应区域的电阻与在没有磁场的情况下所述第五触点和所述第六触点之间的所述第二霍尔效应区域的电阻基本上相同；以及

一组互连，包括：

连接到第一和第六触点的第一端子；

连接到第二触点并且不连接到所述第二霍尔效应结构的第四、第五和第六触点中的任一个的第二端子；

连接到第三和第四触点的第三端子；以及

连接到第五触点的第四端子；

其中：

第一和第二霍尔效应区域被布置在具有顶面的公共基底中，其中，所述第一霍尔效应区域的顶面和所述第二霍尔效应区域的顶面与所述基底的顶面一致；

第一和第二霍尔效应区域经由埋层电耦接；以及

第一和第二霍尔效应区域的每个被布置在所述埋层和公共顶面之间。

2.根据权利要求1所述的传感器系统，其中：

所述第一霍尔效应结构和所述第二霍尔效应结构两者都是垂直霍尔效应结构。

3.根据权利要求2所述的传感器系统，其中，第三和第六触点是分支的。

4.根据权利要求1所述的传感器系统，其中，所述第一霍尔效应结构和所述第二霍尔效应结构两者都是水平霍尔效应设备。

5.根据权利要求1所述的传感器系统，其中，所述第一霍尔效应结构和所述第二霍尔效应结构被布置成彼此平行，以测量同一方向上的磁场分量。

6.一种传感器系统，包括：

第一霍尔效应结构，包括第一霍尔效应区域以及被非线性地布置在所述第一霍尔效应区域的顶面处或顶面附近的第一、第二和第三触点；

第二霍尔效应结构，包括第二霍尔效应区域以及被非线性地布置在所述第二霍尔效应区域的顶面处或顶面附近的第四、第五和第六触点；

第三霍尔效应结构，包括第三霍尔效应区域以及被非线性地布置在所述第三霍尔效应区域的顶面处或顶面附近的第七、第八和第九触点；

第四霍尔效应结构，包括第四霍尔效应区域以及被非线性地布置在所述第四霍尔效应区域的顶面处或顶面附近的第十、第十一和第十二触点；

其中，第一、第二、第三和第四霍尔效应区域包括相同类型的多数载流子；以及

其中，第一、第六和第十一触点电耦接到第一端子，第二、第七和第十二触点电耦接到第二端子，第三、第四和第八触点电耦接到第三端子，第五、第九和第十触点电耦接到第四端子，并且第二端子不连接到所述第二霍尔效应区域的第四、第五和第六触点中的任一个；以及

其中：

第一、第二和第三霍尔效应区域被布置在具有顶面的公共基底中，其中，所述第一霍尔效应区域的顶面和所述第二霍尔效应区域的顶面与所述基底的顶面一致；

第一、第二和第三霍尔效应区域经由埋层电耦接；以及

第一、第二和第三霍尔效应区域的每个被布置在所述埋层和公共顶面之间。