[发明专利]一种低翘曲晶体硅太阳能电池导电铝浆

说明书

本发明公开了一种低翘曲晶体硅太阳能电池导电铝浆，其组分包括：铝粉；有机载体；至少一种无机粘接剂；掺杂二氧化锡导电粉体；其中，掺杂二氧化锡导电粉体为选自锑掺杂的二氧化锡（ATO）、铟掺杂的二氧化锡（ITO）、氟掺杂的二氧化锡（FTO）、钨掺杂的二氧化锡（WTO）、铝掺杂的二氧化锡（TOA）中的至少一种。掺杂的二氧化锡导电粉体均匀分散到铝浆中，在烧结后的铝导电层中成为异相应力释放中心，可降低电池片的翘曲；掺杂的二氧化锡导电粉体具有良好的导电性能，虽然作为异相应力释放中心引入，但并不影响铝导电层的导电性，实现了在降低硅基太阳能电池片翘曲的同时，保证太阳能电池高的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及晶体硅太阳能背面铝浆组合物技术领域，具体涉及一种包含掺杂二氧化锡的超细颗粒的低翘曲晶体硅太阳能电池导电铝浆。

背景技术

在全球能源危机的大环境下，太阳能电池越来越受到各国的重视。年增长速度高达40%以上。在目前晶硅太阳能电池的生产中，绝大多数均采用P型晶硅太阳能电池片的背面印刷铝浆，经过烧结形成铝背场。经过多年的发展，铝背场的生产工艺已经趋向成熟、稳定，对铝背场的各项研究也日益深化，这些都决定了在今后相当一段时间内铝背场仍将被广泛用于晶体硅太阳能电池生产。

随着硅片厚度的不断降低，电池片的翘曲现象变得更为严重，从而导致太阳能电池产品良率降低而导致成本增加。因此需要不断地提高铝浆的性能，保证电池片高的光电转换效率同时降低电池片的翘曲度。

日本专利JP2001313402公布了通过用Si粒子部分替代浆料中的Al粉来降低铝膜的膨胀系数，从而达到降低和抑制电池片翘曲度的方法。然而，要明显降低铝膜的热膨胀系数达到硅晶片同等级别，把翘曲控制在所要求的水平范围内，浆料中必须大量添加Si粒子，这样将会显著降低铝背场的特性，从而严重损害电池片性能。

日本株式会社村田制作所申请的专利JP2004134775中公布了在浆料中加入于浆料有机体难溶或不溶的有机化合物粒子或碳粒子，从而达到降低电池片翘曲的方法。众所周知，浆料中的难溶性或不溶性有机粒子或碳粒子在烧结后会形成较高的碳残留，这些碳多为不导电碳，虽能增加应力释放降低电池片翘曲度，但会使铝膜的导电性下降。

此外美国专利出版物NO.2009/0255583 公开了一种含有有机锡组分的铝浆料；专利CN 102496418 A公开了一种添加含钛氧化物的铝浆料；专利CN 103500597 A公开了一种添加功能化石墨烯的铝浆料；专利CN 103106949 A公开了一种添加高导热性惰性无机填料的铝浆料。但是，这些添加剂也存在着以下的一种或是多种问题：添加剂本身导电性能差，影响电池片的电性能；添加剂与铝浆的成分相差很远，影响产品的综合性能；添加剂自身存在着团聚严重，难以分散等问题。因此仍然需要一种在保证电池片高的光电转换效率同时，更为有效地抑制翘曲现象的铝浆料。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种低翘曲晶体硅太阳能电池导电铝浆，可降低电池片的翘曲，保证光电转化效率。

为实现上述技术效果，本发明的技术方案为：一种低翘曲晶体硅太阳能电池导电铝浆，其特征在于，其组分包括：

铝粉；

有机载体；

至少一种无机粘接剂；

掺杂二氧化锡导电粉体；

其中，掺杂二氧化锡导电粉体为选自锑掺杂的二氧化锡（ATO）、铟掺杂的二氧化锡（ITO）、氟掺杂的二氧化锡（FTO）、钨掺杂的二氧化锡（WTO）、铝掺杂的二氧化锡（TOA）中的至少一种。