[发明专利]BGA芯片焊点缺陷逐点扫描测温检测方法

权利要求书

1.一种BGA芯片焊点缺陷逐点扫描测温检测方法，该方法包括下列顺序的步骤：

（1）采用载物支架将BGA芯片固定在三维移动平台上，使BGA芯片水平放置；

（2）将红外热像仪固定在与三维移动平台的z轴相连的支撑架上，使红外热像仪位于BGA芯片的芯片所在一侧，在z方向上移动调焦、定位，保证被测BGA芯片的焊球区域在视野范围内；

（3）采用入射角度可调的支架固定激光器，使激光器位于BGA芯片的基底所在一侧；

（4）使激光器的激光束斑对准BGA芯片的基底上的待测焊盘进行预热，直至在PC机上观察到热像图；

（5）调整激光器的加热功率和脉冲时间，对经过预热的待测焊盘进行加热，红外热像仪实时检测BGA芯片焊球区域的温升过程，同时拍摄温升最高点的热像图并发送至PC机；

（6）PC机对接收到的数据进行处理，得到温升曲线和热像图，在激光器的加热功率和脉冲时间不变的情况下，若温升最高为55℃±3℃，则判断为合格焊点；若温升最高在25℃±3℃，则判断为虚焊、气孔、裂纹、缺球缺陷；若温升最高在40℃±3℃，则判断为桥连；

（7）调整三维移动平台的x轴或y轴，使得激光器的激光束斑对准BGA芯片的基底上的下一个待测焊盘，返回步骤（4）。

2.根据权利要求1所述的BGA芯片焊点缺陷逐点扫描测温检测方法，其特征在于：当温升曲线接近时，根据热像图热点区的不同来判别缺陷：在缺球，大裂纹，大气孔情况下，热传导路径被截断或接近截断时，红外热像仪所摄取的芯片相应位置基本无温升现象；当被测焊点有明显桥连时，红外热像仪所摄取的BGA芯片相应位置会有两个或多个温升区。

3.根据权利要求1所述的BGA芯片焊点缺陷逐点扫描测温检测方法，其特征在于：所述三维移动平台的x轴或y轴的行程为300mm，步距为1mm；三维移动平台的z轴的行程为60mm，步距为0.5mm。

4.根据权利要求1所述的BGA芯片焊点缺陷逐点扫描测温检测方法，其特征在于：所述红外热像仪的空间分辨率高于50μm，红外热像仪的成像速率大于等于50Hz，红外热像仪的热灵敏度在0.1K以下。

5.根据权利要求1所述的BGA芯片焊点缺陷逐点扫描测温检测方法，其特征在于：所述激光器采用中心波长位于1μm以下近红外波段的半导体激光器，所述激光器进行预热时，其加热功率为1W，脉冲时间为0.2s；所述激光器进行加热时，其加热功率在1～5w可调，脉冲时间为0.2～2s可调，激光器的激光束斑直径小于待测焊盘的直径，且为0.2～2mm可调。