[发明专利]一种砷化镓晶片的抛光方法有效
| 申请号： | 201510791454.X | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105382676A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 周铁军;刘锋;肖进龙;刘留 | 申请（专利权）人： | 广东先导半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 晶片 抛光 方法 | ||
1.一种砷化镓晶片的抛光方法，包括以下步骤：
依次使用氧化剂和还原剂作为抛光液对待抛光砷化镓晶片进行化学机械抛光，得到抛光后砷化镓晶片。
2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述还原剂为硫代硫酸钠水溶液。
3.根据权利要求2所述的抛光方法，其特征在于，所述硫代硫酸钠水溶液中硫代硫酸钠的含量为2～10wt％。
4.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述使用还原剂对待抛光砷化镓晶片进行化学机械抛光的时间为10s～3min。
5.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述使用氧化剂对待抛光砷化镓晶片进行化学机械抛光的时间为10～30min。
6.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述抛光液在单位面积待抛光砷化镓晶片上的用量为10000～60000mL/(min.m2)。
7.根据权利要求6所述的抛光方法，其特征在于，所述还原剂在单位面积待抛光砷化镓晶片上的用量为30000～60000mL/(min.m2)。
8.根据权利要求6所述的抛光方法，其特征在于，所述氧化剂在单位面积待抛光砷化镓晶片上的用量为10000～30000mL/(min.m2)。
9.根据权利要求1～8任一项所述的抛光方法，其特征在于，所述氧化剂为二氯异氰尿酸钠水溶液、次氯酸钠水溶液、双氧水溶液、硝酸水溶液和硫酸水溶液中的一种或多种。
10.根据权利要求9所述的抛光方法，其特征在于，所述次氯酸钠水溶液中次氯酸钠的含量为0.55～0.66wt％。
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