[发明专利]一种双凸台结构的热电能量采集器及其制作方法

权利要求书

1.一种双凸台结构的热电能量采集器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供一自下而上依次包括第一导热板、第一绝缘层及第一类型掺杂结构层的基板；

S2：刻蚀所述结构层，形成若干分立的并由所述第一绝缘层隔离的双凸台结构；所述双凸台结构包括底部凸台及形成于所述底部凸台上的顶部凸台，其中，所述底部凸台及顶部凸台均具有倾斜侧壁，且所述顶部凸台在水平面上的投影面积小于所述底部凸台在水平面上的投影面积；

S3：形成覆盖所述双凸台结构的第二绝缘层；

S4：在所述第二绝缘层上形成若干分立的第二类型掺杂多晶硅块；所述多晶硅块的一端与一个所述双凸台结构的底部凸台部分重叠、另一端与另一个所述双凸台结构的底部凸台及顶部凸台部分重叠；

S5：制作与所述底部凸台连通的第一导电块及与所述顶部凸台连通的第二导电块，使所述双凸台结构与所述多晶硅块通过所述第一导电块及所述第二导电块相互交替依次相连；

S6：提供第二导热板，将所述第二导热板与所述双凸台结构顶部连接。

2.根据权利要求1所述的双凸台结构的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：于所述步骤S1中，所述基板的形成方法包括：

S1-1：提供第一硅片及第二硅片，将所述第一硅片及第二硅片表面氧化，形成二氧化硅层；

S1-2：将所述第一硅片及第二硅片键合，其中，所述第一硅片及第二硅片键合面上的二氧化硅层作为所述第一绝缘层；

S1-3：将所述第一硅片作为所述第一导热板，并将所述第二硅片减薄至预设厚度作为所述结构层。

3.根据权利要求1所述的双凸台结构的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：于所述步骤S2中，采用湿法腐蚀刻蚀所述结构层。

4.根据权利要求1所述的双凸台结构的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：于所述步骤S2中，所述顶部凸台及底部凸台的纵截面均为梯形。

5.根据权利要求1所述的双凸台结构的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：于所述步骤S3中，还包括刻蚀所述第二绝缘层，形成暴露出部分所述底部凸台的第一接触孔以及暴露出部分所述顶部凸台的第二接触孔，并通过所述第一接触孔及第二接触孔分别对所述底部凸台及顶部凸台进行第一类型重掺杂的步骤。

6.根据权利要求5所述的双凸台结构的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：所述步骤S4包括：

S4-1：在所述第二绝缘层上沉积多晶硅层；

S4-2：对所述多晶硅层进行第二类型离子注入；

S4-3：图形化所述多晶硅层，得到若干所述第二类型掺杂多晶硅块；

S4-4：在所述第一接触孔及第二接触孔相对应的位置对所述多晶硅块开孔，分别暴露出部分所述底部凸台及顶部凸台。

7.根据权利要求6所述的双凸台结构的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：所述步骤S5包括：

S5-1：沉积导电层，所述导电层填充进所述第一接触孔及第二接触孔；

S5-2：图形化所述导电层，得到所述第一导电块及第二导电块。

8.根据权利要求1所述的双凸台结构的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：于所述步骤S6中，通过导热硅胶将所述第二导热板粘贴于所述双凸台结构顶部。

9.根据权利要求1所述的双凸台结构的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：所述第一类型掺杂及第二类型掺杂分别为P型掺杂及N型掺杂；或者所述第一类型掺杂及第二类型掺杂分别为N型掺杂及P型掺杂。

10.根据权利要求1所述的双凸台结构的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：所述顶部凸台的厚度大于所述底部凸台的厚度。