[发明专利]半导体器件和绝缘栅双极晶体管

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

晶体管单元区域（610），包括电连接到第一负载电极（310）的晶体管单元（TC）；

闲置区域（630），包括电连接到所述晶体管单元（TC）的栅极电极（150）的栅极布线结构（330）；以及

过渡区域（620），夹在所述晶体管单元区域（610）和所述闲置区域（630）之间并且包括至少一个传感器单元（SC），所述至少一个传感器单元（SC）电连接到感测电极（340）并且被配置成在所述晶体管单元（TC）的接通状态期间传递单极电流。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述过渡区域（620）包括清除单元（PC），所述清除单元（PC）电连接到所述第一负载电极（310）并且被配置成在所述晶体管单元（TC）的接通状态期间传递单极电流。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述清除单元（PC）被配置成当所述晶体管单元（TC）处于接通状态中时从漂移结构排出电荷载流子。

4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中：

所述清除单元（PC）和所述传感器单元（SC）沿着与所述第一负载电极（310）的边缘平行的线来布置。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述感测电极（340）包括延伸到所述第一负载电极（310）的边缘的凹口中的凹痕部分（341）和连接所述凹痕部分（341）的连接部分（342）。

6.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，其中：

每个晶体管单元（TC）在半导体主体（100）中包括分别与漂移结构（120）形成第一pn结（pn1）并且与源区（110）形成第二pn结（pn2）的主体区（115）。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述传感器单元（SC）在所述半导体主体（100）中包括与所述漂移结构（120）形成进一步第一pn结（pn1）的清除区（117）。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述主体区（115）被形成在毗邻从所述半导体主体（100）的第一表面（101）延伸到所述半导体主体（100）中的栅极结构（150）的有源单元台面（170a）中。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述半导体主体（100）进一步包括与所述漂移结构（120）形成进一步第一pn结（pn1）的浮动主体区（115）。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，进一步包括：

集电极层（130），沿着所述半导体主体（100）的与所述第一表面（101）相反的第二表面（102）被形成，所述集电极层（130）与所述漂移结构（120）形成第三pn结（pn3）。

11.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，进一步包括：

结合线，将所述感测电极（340）和所述第一负载电极（310）电连接。

12.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，其中：

所述感测电极（340）和所述第一负载电极（310）被电分离。

13.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，进一步包括：

感测端子（SNS），电耦合或连接到所述感测电极（340）。

14.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，进一步包括：

感测电路，电耦合到所述感测电极（340）并且被配置成输出指示所述半导体器件（500）的感测电流超过预定阈值的控制信号。