[发明专利]一种用于红外探测器桥臂的TiAlV薄膜制作方法在审
| 申请号： | 201510784784.6 | 申请日： | 2015-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN105439082A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 巨锦华;雷述宇;何熙 | 申请（专利权）人： | 北方广微科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 红外探测器 tialv 薄膜 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于红外探测器桥臂的TiAlV薄膜制作方法，包括：
a.提供半导体衬底；
b.在所述半导体衬底上溅射形成TiAlV薄膜；其中，溅射温度为：240～260℃，溅射功率为：280～320W，溅射气体氩气流量为60～70sccm；
c.对形成的TiAlV薄膜进行刻蚀，形成TiAlV桥臂结构。
2.根据权利要求1所述的TiAlV薄膜制作方法，其特征在于，在步骤a中，所述半导体衬底的制作方法为：通过物理汽相淀积的方法在硅片上形成氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的TiAlV薄膜制作方法，其特征在于，在步骤b中，所述TiAlV薄膜的厚度为0.04um。
4.根据权利要求3所述的TiAlV薄膜制作方法，其特征在于，在步骤b中，形成所述TiAlV薄膜的溅射时间为90s。
5.根据权利要求1所述的TiAlV薄膜制作方法，其特征在于，所述TiAlV薄膜中Ti、Al、V的质量分数比为8:1:1。
6.根据权利要求1所述的TiAlV薄膜制作方法，其特征在于，所述TiAlV桥臂的宽度为0.5～1um，桥臂的厚度为0.02～0.6um。
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