[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510783008.4 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105304502B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体膜 金属氧化物膜 热处理 晶体管 半导体装置 寄生沟道 引入 漏电极 氢化物 源电极 带电 沟道 羟基 去除 覆盖 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：
在基板上形成栅电极；
在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；
形成隔着所述栅极绝缘膜与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜含有铟、镓和锌；
形成电连接到所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
在惰性气体气氛中进行第一热处理；
在氧气氛中进行冷却处理；
形成与所述氧化物半导体膜的部分接触的金属氧化膜；以及
进行第二热处理。
2.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：
在基板上形成栅电极；
在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；
形成隔着所述栅极绝缘膜与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜含有铟、镓和锌；
形成电连接到所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
在惰性气体气氛中进行第一热处理；
在氧气氛中进行冷却处理；
形成与所述氧化物半导体膜的部分接触的含有镓的金属氧化膜；
进行第二热处理；以及
在含有镓的所述金属氧化膜上形成绝缘膜。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述绝缘膜是氧化绝缘膜或氮化绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
