[发明专利]像素驱动电路、阵列基板及液晶面板在审

专利信息
申请号: 201510781054.0 申请日: 2015-11-13
公开(公告)号: CN105280150A 公开(公告)日: 2016-01-27
发明(设计)人: 徐向阳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素 驱动 电路 阵列 液晶面板
【权利要求书】:

1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括呈阵列式排布的多个像素单元(5)、自上而下对应第n行像素单元(5)设置的沿水平方向延伸的第n条栅极扫描线(G(n))、及自左至右对应第m列像素单元(5)设置的沿竖直方向延伸的第m条数据线(D(m)),n与m均为正整数;

每一像素单元(5)均包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、主区像素电极(51)、次区像素电极(52)、第一电荷共享电容(C1)、及第二电荷共享电容(C2);对于第n行第m列像素单元(5),所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第n条栅极扫描线(G(n))、源极电性连接第m条数据线(D(m))、漏极电性连接主区像素电极(51),所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第n条栅极扫描线(G(n))、源极电性连接第m条数据线(D(m))、漏极电性连接次区像素电极(52),所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接对应于上一行像素单元(5)的第n-1条栅极扫描线(G(n-1))、源极电性连接次区像素电极(52)、漏极电性连接第一电荷共享电容(C1)的一端,第一电荷共享电容(C1)的另一端接入公共电压,所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接对应于下一行像素单元(5)的第n+1条栅极扫描线(G(n+1))、源极电性连接主区像素电极(51)、漏极电性连接第二电荷共享电容(C2)的一端,第二电荷共享电容(C2)的另一端接入公共电压。

2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,当正向扫描到第n-1行像素单元(5)时,仅第n-1条栅极扫描线(G(n-1))传递高电位信号,第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、与第四薄膜晶体管(T4)均关闭,第三薄膜晶体管(T3)打开;当正向扫描到第n行像素单元(5)时,仅第n条栅极扫描线(G(n))传递高电位信号,第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)与第二薄膜晶体管(T2)均打开,第三薄膜晶体管(T3)与第四薄膜晶体管(T4)均关闭,第n行第m列像素单元(5)内的主区像素电极(51)与次区像素电极(52)被充电至相同的电压;当正向扫描到第n+1行像素单元(5)时,仅第n+1条栅极扫描线(G(n+1))传递高电位信号,第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、与第三薄膜晶体管(T3)均关闭,第四薄膜晶体管(T4)打开,第n行第m列像素单元(5)内的第二电荷共享电容(C2)拉低主区像素电极(51)的电压,使得主区像素电极(51)的电压小于次区像素电极(52)的电压。

3.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,当反向扫描到第n+1行像素单元(5)时,仅第n+1条栅极扫描线(G(n+1))传递高电位信号,第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、与第三薄膜晶体管(T3)均关闭,第四薄膜晶体管(T4)打开;当反向扫描到第n行像素单元(5)时,仅第n条栅极扫描线(G(n))传递高电位信号,第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)与第二薄膜晶体管(T2)均打开,第三薄膜晶体管(T3)与第四薄膜晶体管(T4)均关闭,第n行第m列像素单元(5)内的主区像素电极(51)与次区像素电极(52)被充电至相同的电压;当反向扫描到第n-1行像素单元(5)时,仅第n-1条栅极扫描线(G(n-1))传递高电位信号,第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、与第四薄膜晶体管(T4)均关闭,第三薄膜晶体管(T3)打开,第n行第m列像素单元(5)内的第一电荷共享电容(C1)拉低次区像素电极(52)的电压,使得次区像素电极(52)的电压小于主区像素电极(51)的电压。

4.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述主区像素电极(51)与次区像素电极(52)均为“米”字型结构,材料均为ITO。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510781054.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top