[发明专利]像素驱动电路、阵列基板及液晶面板在审
申请号: | 201510781054.0 | 申请日: | 2015-11-13 |
公开(公告)号: | CN105280150A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 驱动 电路 阵列 液晶面板 | ||
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括呈阵列式排布的多个像素单元(5)、自上而下对应第n行像素单元(5)设置的沿水平方向延伸的第n条栅极扫描线(G(n))、及自左至右对应第m列像素单元(5)设置的沿竖直方向延伸的第m条数据线(D(m)),n与m均为正整数;
每一像素单元(5)均包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、主区像素电极(51)、次区像素电极(52)、第一电荷共享电容(C1)、及第二电荷共享电容(C2);对于第n行第m列像素单元(5),所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第n条栅极扫描线(G(n))、源极电性连接第m条数据线(D(m))、漏极电性连接主区像素电极(51),所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第n条栅极扫描线(G(n))、源极电性连接第m条数据线(D(m))、漏极电性连接次区像素电极(52),所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接对应于上一行像素单元(5)的第n-1条栅极扫描线(G(n-1))、源极电性连接次区像素电极(52)、漏极电性连接第一电荷共享电容(C1)的一端,第一电荷共享电容(C1)的另一端接入公共电压,所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接对应于下一行像素单元(5)的第n+1条栅极扫描线(G(n+1))、源极电性连接主区像素电极(51)、漏极电性连接第二电荷共享电容(C2)的一端,第二电荷共享电容(C2)的另一端接入公共电压。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,当正向扫描到第n-1行像素单元(5)时,仅第n-1条栅极扫描线(G(n-1))传递高电位信号,第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、与第四薄膜晶体管(T4)均关闭,第三薄膜晶体管(T3)打开;当正向扫描到第n行像素单元(5)时,仅第n条栅极扫描线(G(n))传递高电位信号,第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)与第二薄膜晶体管(T2)均打开,第三薄膜晶体管(T3)与第四薄膜晶体管(T4)均关闭,第n行第m列像素单元(5)内的主区像素电极(51)与次区像素电极(52)被充电至相同的电压;当正向扫描到第n+1行像素单元(5)时,仅第n+1条栅极扫描线(G(n+1))传递高电位信号,第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、与第三薄膜晶体管(T3)均关闭,第四薄膜晶体管(T4)打开,第n行第m列像素单元(5)内的第二电荷共享电容(C2)拉低主区像素电极(51)的电压,使得主区像素电极(51)的电压小于次区像素电极(52)的电压。
3.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,当反向扫描到第n+1行像素单元(5)时,仅第n+1条栅极扫描线(G(n+1))传递高电位信号,第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、与第三薄膜晶体管(T3)均关闭,第四薄膜晶体管(T4)打开;当反向扫描到第n行像素单元(5)时,仅第n条栅极扫描线(G(n))传递高电位信号,第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)与第二薄膜晶体管(T2)均打开,第三薄膜晶体管(T3)与第四薄膜晶体管(T4)均关闭,第n行第m列像素单元(5)内的主区像素电极(51)与次区像素电极(52)被充电至相同的电压;当反向扫描到第n-1行像素单元(5)时,仅第n-1条栅极扫描线(G(n-1))传递高电位信号,第n行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、与第四薄膜晶体管(T4)均关闭,第三薄膜晶体管(T3)打开,第n行第m列像素单元(5)内的第一电荷共享电容(C1)拉低次区像素电极(52)的电压,使得次区像素电极(52)的电压小于主区像素电极(51)的电压。
4.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述主区像素电极(51)与次区像素电极(52)均为“米”字型结构,材料均为ITO。
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