[发明专利]智能手机屏幕、系统及制备方法有效
申请号: | 201510780864.4 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN105355640B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 李琛;赵宇航 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04M1/02 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;尹英 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 智能 手机屏幕 系统 制备 方法 | ||
1.一种集成有大尺寸图像传感器的智能手机屏幕,其特征在于,包括:
有源区,在一硅衬底中形成,有源区具有发光二极管和与所述发光二极管交错排布的感光二极管、以及位于所述发光二极管和所述感光二极管外侧的多晶硅;
在所述有源区上形成有互连层;所述互连层具有互连线和位于互连线间的介质;位于所述感光二极管上的所述互连层部分具有沟槽;
界面区,在所述互连层上;所述界面区具有对应于所述图像传感器的上方的从下向上依次形成的彩色滤镜和微透镜、以及对应于所述多晶硅上方的接触块;其中,所述感光二极管、位于所述感光二极管上方的互连层部分、位于所述互连层上方的所述彩色滤镜和所述微透镜构成图像传感器像素;所述发光二极管和位于所述发光二极管上方的互连层部分构成屏幕显示像素;所述多晶硅、位于所述多晶硅上方的互连层部分和所述接触块构成引出极区;
屏幕板,位于所述界面区上方。
2.根据权利要求1所述的智能手机屏幕,其特征在于,多个所述屏幕显示像素对应一个所述图像传感器像素。
3.根据权利要求1所述的智能手机屏幕,其特征在于,还包括一控制器;所述控制器控制所述屏幕的一部分的所述图像传感器像素开启,所述屏幕显示像素关闭;同时,所述控制器控制所述屏幕的其它部分的所述图像传感器关闭,所述屏幕显示像素开启,所述屏幕的一部分的所述图像传感器像素将探测到的信号发送给所述屏幕显示像素,所述屏幕显示像素的发光二极管将所述信号转换为图像并且呈现在所述屏幕板上。
4.根据权利要求3所述的智能手机屏幕,其特征在于,所述控制器还控制每个所述图像传感器像素的启闭。
5.根据权利要求1所述的智能手机屏幕,其特征在于,在所述互连层顶部表面还具有氮化硅钝化层,用于保护所述互连层。
6.根据权利要求1所述的智能手机屏幕,其特征在于,所述有源区之间具有浅沟槽隔离结构。
7.根据权利要求6所述的智能手机屏幕,其特征在于,所述图像传感器像素包括:在所述有源区中形成的掺杂阱区,包括IO器件的阱区、CORE器件的阱区、感光二极管的PN结、感光二极管工作的时序信号器件的阱区;在所述掺杂阱区上形成的栅氧和多晶硅栅;在所述多晶硅栅两侧底部的阱区中形成的浅掺杂漏区、在多晶硅栅侧壁形成的侧墙、在所述浅掺杂漏区中形成的源漏掺杂区、以及在所述源漏掺杂区形成的硅化物。
8.一种集成有大尺寸图像传感器的智能手机屏幕系统,其特征在于,包括:控制器,可拆卸镜头,以及权利要求1-7任意一项所述的智能手机屏幕;其中,
可拆卸镜头可拆卸地安装于所述屏幕板上;所述可拆卸镜头通过吸附环连接在所述屏幕板上;所述可拆卸镜头的一端连接于所述吸附环中,所述吸附环吸附在所述屏幕板上;所述镜头下方与所述图像传感器像素相对应;
一控制器控制所述图像传感器像素和所述屏幕显示像素的之间的启闭切换;
光线从所述可拆卸镜头入射并且依次穿过所述屏幕板、所述微透镜、以及所述彩色滤镜,然后通过所述沟槽入射到所述感光二极管上;
所述图像传感器像素将所探测到的信号发送到所述屏幕显示像素,所述屏幕显示像素将所述信号转换为图像并呈现在所述屏幕板上;所述引出极区连接外电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510780864.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的