[发明专利]金属区段作为接着垫及IC装置中的区域互连件

说明书

本发明涉及金属区段作为接着垫及IC装置中的区域互连件，其揭示用于利用额外金属层的金属区段作为用于通孔的接着垫及亦作为在IC装置中的接触件之间的区域互连件的方法以及所得装置。实施例包括形成连接至位于集成电路装置中的基板上的晶体管的源极/漏极接触件及栅极接触件，每一接触件具有具第一面积的上表面；在该等接触件的上表面于一平面上形成金属区段，每一金属区段与一或多个该等接触件接触并具有大于该第一面积的第二面积；及在一或多个该等金属区段与第一金属层的一或多个第一区段之间形成一或多个通孔。

技术领域

本发明一般而言涉及设计及制造集成电路(IC)装置。本发明可应用于在通孔与接触件之间的连接及在一IC装置中接触件之间的区域互连件，尤其是用于7纳米(nm)技术节点及更先进者。

背景技术

一般而言，IC装置可包括各种方形接触件，其连接至一或多个晶体管。此外，IC装置可包括多个金属层，其可经利用以将该等接触件连接至各种讯号来源或目标。在某些情况下，可利用通孔将上方金属层连接至一或多个该等接触件。例如，可利用一通孔以将金属-1(M1)层的区段连接至晶体管上的栅极接触件。然而，在某些情况下，通孔实质上可能未与目标接触件的小方形表面区域对准，这在该通孔及该目标接触件之间可能造成不可靠的连接(例如：小接触面积)。因此，该目标接触件及该上方M1层的区段之间不可靠的连接结果可导致该装置无法适当地作用或通过某些IC制造品质/可靠度测试，其接着可能不利地影响该IC装置的制造产量。此外，在IC装置中某些金属层的布局可影响IC装置的节点扩展技术(node scaling technologies)的进展。

图1A及图1B分别是一实例IC装置的横截面及三维图。关于图1A，说明一习知静态随机存取记忆体(SRAM)装置的横截面，其包括硅基板101及浅沟槽绝缘层103。此外，在该硅基板101的上表面上有多个栅极电极(PC)105及多个沟槽硅化物(TS)107，其中，栅极接触件(CB)109连接至PC 105的上表面，且源极/漏极接触件(CA)111连接至TS 107的上表面。进一步地，通孔113将M1层115的一或多个区段连接至CB接触件109及/或CA接触件111的上表面。然而，一通孔(例如通孔113a)的底表面可不与一CB接触件(例如接触件109a)(或其它CA或CB接触件)的上表面完全地对准，其对于可靠的功能及该等两元件之间功率或讯号的适当的转移可能造成不足的接触面积。

图1B说明图1A中的IC装置的3D图，其中，该通孔113a未平行地对准该CB接触件109a。通孔113a与CB接触件109a之间的未对准仅示例性；未对准的更多情况可存在于一IC装置中通孔与CB接触件及CA接触件两者之间。如所示，在设计与制造IC装置时所考量者是用于提供充足及有效的接触件布局设计以供该等IC装置的可靠及经济的制造产量的步骤。

因此需要能够改善在IC装置中接触件与通孔之间的连接的方法及所得装置。

发明内容

本发明的一态样是一IC装置，其利用额外金属层的金属区段作为通孔的接着垫及亦作为接触件间的区域互连件。

本发明的另一态样是一种用于利用额外的金属层的金属区段作为通孔的接着垫及亦作为IC装置中接触件之间的区域互连件的方法。

在以下的实施方式中将提出本发明的额外态样及其它特征且部份地在检视下文后本领域技术人员将明显得知或可自本发明的实践习得。如在随附的权利要求书中特别指出可了解并得知本发明的优点。

根据本发明，某些技术效果可部份地通过一方法实现，该方法包括：形成源极/漏极接触件及栅极接触件，其连接至位于集成电路装置中的基板上的晶体管，每一接触件具有具第一面积的上表面；在该等接触件的上表面于一平面上形成金属区段，每一金属区段与一或多个该等接触件接触并具有大于该第一面积的第二面积；及在一或多个该等金属区段与第一金属层的一或多个第一区段之间形成一或多个通孔。