[发明专利]激光直写用超分辨掩膜板及其制备方法

权利要求书

1.一种激光直写用超分辨掩膜板，特征在于其结构依次是单面抛光的盖玻片(1)、相变薄膜层(2)和介电保护层(3)，所述的盖玻片(1)的厚度为0.15-0.2mm，所述相变薄膜层(2)的厚度为80-100nm，所述介电保护层(3)的厚度为5-20nm。

2.权利要求1所述的激光直写用超分辨掩膜板的制备方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：

①将所述的盖玻片先后经丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗共三次，每次30分钟，超声清洗时水温升至40℃，之后用纯度为99.9％的高压氮气吹干；

②将所述的盖玻片固定于磁控溅射镀膜机腔体中的样品盘上，保持抛光面朝向溅射靶材，选定好溅射所用的相变靶材及介电靶材并安装在相应的靶基座上，分别调整相变靶材和介电靶材与盖玻片之间的距离为70-80mm，关闭磁控溅射镀膜机腔体开始抽真空，当真空度达到5×10^-4Pa时通入工作气体氩气，氩气流量控制在80sccm，调节闸板阀将工作气压控制在0.3-0.5Pa,打开样品自转电机；

③利用镀膜控制程序将样品盘由初始位置移动至相变靶材位置上方，打开射频电源，根据相变薄膜的溅射速率，通过控制溅射时间来控制薄膜厚度，在所述的基底(1)上镀制相变薄膜层(2)；

④相变薄膜层镀制完成后，打开闸板阀抽气10分钟，然后将样品盘移动至介电靶材上方，打开射频电源，根据介电薄膜的溅射速率，通过控制溅射时间来控制薄膜厚度，在所述的相变薄膜层(2)上镀制介电保护层(3)。