[发明专利]一种晶片钝化工艺

权利要求书

1.一种晶片钝化工艺，其特征在于，以正面开口沟槽的晶片为原料；包括以下步骤：

S1，清洗、甩干，对晶片进行RCA清洗，再通过甩干机甩干；

S2，一次氧化，将甩干后的晶片送至温度为600℃的扩散炉内，然后，升温至1100±50℃，通入掺氯的干氧气氛进行氧化，时间为0.5-1.5h，在晶片的正面、背面形成单层厚度为1000-2000埃的SiO2氧化膜；

S3，二次氧化，将一次氧化后的晶片放置于扩散炉的湿氧气氛中氧化，氧化温度为1100±50℃，时间为3-8h，在晶片的正面、背面形成单层厚度为8000-16000埃的SiO2氧化膜；

S4，三次氧化，将二次氧化后的晶片放置于扩散炉的干氧气氛中氧化，氧化温度为1100±50℃，时间为0.5-1.5h，在晶片的正面、背面形成单层厚度为1000-2000埃的SiO2氧化膜；

S5，降温，将三次氧化后总膜厚度为10000-20000埃的晶片按1-2℃/min的速度从1100±50℃降温至600℃；

S6，晶片生成氧化膜钝化层；

S7，二次黄光；依次为上光阻剂、软烤、曝光、显影和硬烤；

S8，使用BOE溶液去除焊接面及晶片背面的氧化膜，之后除去晶片表面光阻剂；

S9，金属化；在晶片表面镀上NI/AU层形成金属电极。

2.根据权利要求1所述的一种晶片钝化工艺，其特征在于，步骤S2、S3和S4中的氧气流量均为6升/分钟。