[发明专利]压力传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201510771467.0 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN106706173B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘孟彬;毛剑宏;杨天伦 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L1/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 李时云 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压力传感器 制备 方法 | ||
1.一种压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：
提供一半导体基板；
在所述半导体基板表面形成一压力感应层，所述压力感应层与所述半导体基板之间形成一空腔，所述空腔上的所述压力感应层中具有至少一第一开口，所述空腔通过所述第一开口去除所述空腔内的牺牲层而形成；
形成一非晶碳层，所述非晶碳层覆盖所述压力感应层，并填充部分所述第一开口；
形成一第一介质层，所述第一介质层覆盖所述非晶碳层，并完全覆盖所述第一开口；
刻蚀所述第一介质层，保留所述空腔边缘上的所述第一介质层；
以所述第一介质层为掩膜刻蚀所述非晶碳层；
形成一保护层，所述保护层覆盖所述压力感应层以及所述第一介质层；
刻蚀所述保护层，去除所述第一介质层上的所述保护层，在所述保护层中形成第二开口，所述第二开口作为压力传感器的压力传感区；
采用等离子体干法刻蚀工艺去除所述第二开口中的所述非晶碳层和所述第一介质层，其中采用O2等离子体刻蚀去除所述非晶碳层。
2.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述半导体基板包括具有控制电路的衬底以及层间介质层，所述层间介质层中形成有互连结构以及底部接触电极，所述压力感应层与所述互连结构电性连接，所述压力感应层与所述底部接触电极之间形成所述空腔。
3.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为硅氧氮化合物，硅氧氮化合物的厚度为
4.如权利要求3所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，刻蚀所述第一介质层的步骤包括：
在所述第一介质层上形成图案化的光阻；
采用等离子体刻蚀所述第一介质层，保留所述空腔边缘上的部分所述第一介质层。
5.如权利要求4所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，采用CF4等离子体刻蚀所述第一介质层。
6.如权利要求5所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，等离子体刻蚀所述第一介质层的同时，还刻蚀所述图案化的光阻，去除部分所述图案化的光阻。
7.如权利要求6所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，采用O2等离子体刻蚀所述非晶碳层，保留所述第一介质层下的所述非晶碳层。
8.如权利要求7所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，等离子体刻蚀所述非晶碳层的同时，还刻蚀所述图案化的光阻，并完全去除所述图案化的光阻。
9.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述非晶碳层的厚度为
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