[发明专利]石墨烯太赫兹发射器及其制作方法

权利要求书

1.一种石墨烯太赫兹发射器，其特征在于，包括：

基底以及设置在基底上的石墨烯纳米带、第一电极、绝缘层和第二电极；

所述石墨烯纳米带位于所述基底上；所述第一电极位于所述石墨烯纳米带部分区域上；所述绝缘层位于所述石墨烯纳米带目标区域上，所述目标区域为未设置第一电极的区域；所述第二电极位于与所述石墨烯纳米带对应的部分绝缘层之上；

所述石墨烯纳米带的中部宽度大于两边的宽度。

2.根据权利要求1所述的石墨烯太赫兹发射器，其特征在于，所述石墨烯太赫兹发射器，还包括：封装层；

所述封装层位于所述第二电极及所述绝缘层上。

3.根据权利要求1或2所述的石墨烯太赫兹发射器，其特征在于，所述石墨烯纳米带为单层石墨烯结构。

4.根据权利要求1所述的石墨烯太赫兹发射器，其特征在于，

所述第二电极为掺杂电极。

5.根据权利要求1所述的石墨烯太赫兹发射器，其特征在于，

所述石墨烯纳米带中部宽度小于预设宽度。

6.一种石墨烯太赫兹发射器制作方法，其特征在于，所述方法包括：

将石墨烯纳米带转移至基底上，并使所述石墨烯纳米带吸附在所述基底上；

在所述石墨烯纳米带的部分区域上形成第一电极；

在石墨烯纳米带目标区域上形成绝缘层，所述目标区域为未设置第一电极的区域；

在所述绝缘层的部分区域上形成第二电极。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第二电极及所述绝缘层上形成封装层。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将石墨烯纳米带转移至基底上，并使所述石墨烯纳米带吸附在所述基底上，具体包括：

采用机械剥离法将所述石墨烯纳米带转移至所述基底上；

将所述石墨烯纳米带吸附在所述基底上。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述石墨烯纳米带的部分区域上形成第一电极，具体包括：

在所述石墨烯纳米带上旋涂光刻胶，并对光刻胶进行电子束曝光显影处理，去除形成所述第一电极对应区域的光刻胶；

在经过电子束曝光显影处理后的光刻胶上沉积第一金属层；

去除光刻胶以及位于光刻胶上的第一金属层，以形成所述第一电极。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述绝缘层的部分区域上形成第二电极，具体包括：

在所述绝缘层上旋涂光刻胶，并对光刻胶进行电子束曝光显影处理，去除形成所述第二电极对应区域的光刻胶；

在经过电子束曝光显影处理后的光刻胶上沉积第二金属层；

去除光刻胶以及位于光刻胶上的第二金属层，以形成所述第二电极。