[发明专利]一种印刷型显示器件及其制作方法有效
申请号: | 201510764095.9 | 申请日: | 2015-11-11 |
公开(公告)号: | CN105428553B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 陈亚文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 510000 广东省广州市中*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 印刷 显示 器件 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种印刷型显示器件及其制作方法,所述方法包括:在图像化像素电极的TFT基板上形成一层制作像素bank薄膜;在bank薄膜上形成一层光阻;通过曝光掩膜对光阻进行曝光,利用显影技术将光阻图案化;通过光阻掩膜对像素bank薄膜进行刻蚀;通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件,沉积电极,对器件进行封装。本发明中相同颜色子像素相连区域形成亲水性的较薄bank,保证了墨水的良好铺展;不同颜色子像素相连区域形成疏水性的较厚bank,防止墨水溢出,提高了印刷工艺的良品率,通过制作方法与像素结构的结合,简化了印刷型显示器的制作工艺。
技术领域
本发明涉及有机发光显示技术领域,尤其涉及一种印刷型显示器件及其制作方法。
背景技术
采用溶液加工制作OLED以及QLED显示器,由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点,是未来显示技术发展的重要方向。其中,印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
在印刷工艺中,由于受设备精度以及液滴尺寸的影响,对于传统的RGB Stripe(RGB条状)排列的像素结构,很难实现高分辨率显示器件的制备。当显示器件的分辨率达到200 ppi时,各子像素的宽度会减小到了42μm,同时由于像素界定层的存在,子像素的真实宽度会进一步减小到35μm左右,而对于10 pL体积的墨水,其直径就达27μm。如果再进一步提高分辨率,子像素尺寸会进一步减小,就很难控制各子像素内墨水相互独立而不溢出像素。
中国专利(CN 104009066A)中公开了一种像素排布结构,如图1所示,通过将相连像素的子像素共用Mask上的开口,从而有效提高显示器件的分辨率。但是,在印刷工艺中,单纯的引入这种像素排布结构,随着分辨率的增大,各子像素内的墨水还是会因像素尺寸变小而溢出像素坑,与相邻不同颜色的子像素发生颜色串扰,引起显示器件显示效果下降,因此在印刷工艺中直接应用这种结构,还是无法减小子像素的尺寸同时保持不同颜色子像素间沉积墨水的相互独立,因此这种像素结构无法实现高分辨率显示器的印刷工艺的制作。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于现有技术的不足,本发明目的在于提供一种印刷型显示器件及其制作方法,旨在解决现有技术中在高分辨率显示器件在制作过程中,由于受设备精度及液滴尺寸的影响很大,各子像素内墨水因像素尺寸变小而溢出像素坑,与相邻不同颜色的子像素串扰,降低显示器的显示分辨率的缺陷。
本发明的技术方案如下:
一种印刷型显示器件制作方法,其中,方法包括:
A、在图像化像素电极的TFT基板上形成一层制作像素bank薄膜;
B、在像素bank薄膜上形成一层光阻;
C、通过曝光掩膜对光阻进行曝光,利用显影技术将光阻图案化;
D、通过光阻掩膜对像素bank薄膜进行刻蚀;
E、通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件,沉积电极,对器件进行封装。
所述的印刷型显示器件制作方法,其中,所述步骤C具体包括:
C1、通过曝光掩膜对像素发光区域进行全曝光;
C2、对相同颜色子像素相连区域进行半曝光;
C3、不同颜色子像素相连区域不曝光;
C4、利用显影将光阻图案化。
所述的印刷型显示器件制作方法,其中,所述步骤D具体包括:
D1、通过光阻掩膜对像素bank薄膜的全曝光区域进行全部刻蚀,露出像素电极;
D2、对像素bank薄膜的半曝光区域进行部分刻蚀;
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