[发明专利]一种倒置结构太阳能电池制作方法在审
| 申请号: | 201510763780.X | 申请日: | 2015-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN105304764A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
| 发明(设计)人: | 姜伟;张永;陈凯轩;林志伟;卓祥景;方天足 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 倒置 结构 太阳能电池 制作方法 | ||
1.一种倒置结构太阳能电池制作方法,其特征在于:包括以下步骤:
一,在外延衬底上自下而上依次生长多层子电池,该多层子电池由下至上带隙依次减小;
二,在带隙最小的子电池表面掩膜、光刻、ICP蚀刻形成网格状凹槽结构;
三,在刻蚀后的外延片上蒸镀金属形成栅格层,在导电衬底表面蒸镀金属,并采用键合技术将二者紧密连接;
四,采用化学腐蚀法将外延衬底去除,露出带隙最大的子电池表面;
五,在带隙最大的子电池表面采用掩膜、光刻、蚀刻出栅线位,并蒸镀金属形成电极。
2.如权利要求1所述的一种倒置结构太阳能电池制作方法,其特征在于:还包括在带隙最大的子电池表面蒸镀另一金属层,并将其退火形成金属纳米岛表面;采用蒸镀法在在带隙最大的子电池表面附加一层氧化物介质膜形成减反射膜,该减反射膜将金属纳米岛层及电极覆盖,该金属纳米岛层形成于受光面与减反射膜界面处。
3.如权利要求1所述的一种倒置结构太阳能电池制作方法,其特征在于:导电衬底为导电硅衬底。
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





