[发明专利]一种高精度调焦调平测量系统

说明书

技术领域

本发明涉及焦面检测及调平的技术领域，具体涉及投影光刻系统中基片的调焦调平测量系统。

背景技术

光刻装置(光刻机)是大规模集成电路生产的重要设备之一。随着集成电路特征尺寸的不断减小和相关光刻设备分辨力的不断提高，光刻的有效焦深变得越来越小。目前主流的投影光刻设备，即使采用离轴照明等波前工程技术，焦深也仅维持在百纳米量级，已大大超出了由真空吸附翘曲、衬底平整度、抗蚀剂厚度等引起的基片表面起伏变化的范围。为了使基片表面始终保持在投影系统焦深范围内，保证曝光图形质量，对检焦系统提出了极高的要求。

早期，光学检焦方法多采用狭缝式光度检焦，受限于该方法对狭缝成像质量和图像处理算法的严重依赖性，其检焦精度只有百纳米级仅适用于早期精度较低的光刻机，如：基于光栅和四象限探测器的光电测量方法(美国专利US5191200)、基于狭缝和四象限探测器的光电测量方法(美国专利US6765647B1)等。随后，出现了一种具有高精度的激光干涉检焦方法(Focusingandlevelingbasedonwafersurfaceprofiledetectionwithinterferometryforopticallithography[C].Proc.ofSPIE,1994,2197:980-989)，然而，抗蚀膜和脆弱环境的多层干涉作用严重阻碍了其作为光刻工具的应用。最近，由周期接近的光栅产生的莫尔条纹技术被引入光刻检焦中。纳米级的精度和良好的工艺适应性使得该方法成为一项具有前途的检焦备选方案。如基于光栅莫尔条纹的广电探测方法(中国专利：200710171968)，然而由于光栅自成像导致的泰伯效应会引起莫尔条纹的对比度下降，还会对实验调试产生负面影响，从而使得莫尔条纹方法用于实际光刻检焦还有很长的路要走。目前最常用的调焦调平方法还是基于光栅的光电测量方法。该方法虽然精度较高且易于实现，但该测量方法易受光源或反射率波动引起的光强变化的影响，从而降低检测精度。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的目的是为了满足投影光刻设备的发展需求，解决当前基于光栅的光电测量方法中由于光源或反射率波动引起的光强变化导致精度降低的问题，提出一种高精度焦面检测及调平测量系统。

为了实现所述目的，本发明提供的一种高精度调焦调平测量系统由四路焦面测量系统共同构成，分别为第一焦面测量系统，第二焦面测量系统，第三焦面测量系统和第四焦面测量系统。第一焦面测量系统由照明系统，标记光栅，第一前远心成像系统，像剪切系统，光弹调制系统，位相调节板，检测光栅，第一后远心成像系统，第二后远心成像系统，第一光电探测器和第二光电探测器共同组成，标记光栅以86°的入射角经第一远心成像系统成像在基片上，经基片反射后的像经像剪切系统后由分光棱镜组分成两束，第一光束和第二光束分别成像于检测光栅上，位相调节板使得基片反射后的标记光栅像成像于检测光栅时光束位相刚好相差π/2，第一光电探测器和第二光电探测器分别探测由标记光栅同检测光栅形成叠栅后的第一光束传输能量和第二光束传输能量，第一光电探测器和第二光电探测器的位置信息固定，当基片发生上下移动时，标记光栅像同检测光栅的位置将发生偏移，同时，第一光电探测器和第二光电探测器探测的光强也将随之变化，通过第一光电探测器和第二光电探测器探测的能量经处理后求比值可以准确测出基片的焦面位置，第二焦面测量系统，第三焦面测量系统和第四焦面测量系统的结构同第一焦面测量系统。

所述的四路焦面测量系统测量点位于基片曝光场内，分布在以基片上曝光场中心位置为中心建立X、Y坐标轴上，X坐标轴上对称中心分布两个测量点，Y坐标轴上对称中心两个测量点。

所述的标记光栅和检测光栅的参数相同，且放置位置成一定角度，使得标记光栅的像可以平行成像于检测光栅上，检测光栅的长度需保证分光后的第一光束和第二光束均垂直入射到检测光栅上，互相没有交集和干扰。

所述的光弹调制系统由1/4波片，光弹调制器，1/4波片和检偏器构成。

所述的分光棱镜组将经过像剪切板后的光束分成能量相等，传输方向相同的两束光。

所述的位相调节板的目的是使标记光栅像成像于检测光栅时的第一光束和第二光束的位相相差π/2。