[发明专利]滤色器阵列基板、其制造方法及有机发光二极管显示装置有效
| 申请号: | 201510761910.6 | 申请日: | 2015-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN105590950B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
| 发明(设计)人: | 金昌秀 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33;G09G3/32;G09G3/3208;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;董文国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 滤色器 阵列 制造 方法 有机 发光二极管 显示装置 | ||
本发明提供了滤色器阵列基板、其制造方法及有机发光二极管显示装置。本发明提供了滤色器阵列基板、有机发光二极管(OLED)显示装置以及制造OLED显示装置的方法。根据实施方案的OLED显示装置包括:基板;黑色矩阵,黑色矩阵形成有开口并且设置在基板上;设置在开口中的滤色器层;以及透明绝缘层,透明绝缘层设置在提供有滤色器层的基板上并且配置为包括布置为多个多边形的形状的光学图案。因此,OLED显示装置可以提高光的输出效率。
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年11月11日提交的韩国专利申请第10-2014-0156322号的优先权权益,其全部内容通过引用并入本申请中。
技术领域
本申请涉及有机发光二极管显示装置及其制造方法。更具体地,本申请涉及适用于提高光在垂直方向上的输出效率的有机发光二极管显示装置及其制造方法。
背景技术
现今,随着信息社会的传播,用于视觉呈现电信息信号的显示领域得以快速发展。据此,已经开发了具有诸如纤薄、重量轻以及低功耗的特征的各种平板显示装置。另外,平板显示装置已经快速取代了现有的阴极射线管(CRT)。
作为平板显示装置的示例,可以引入液晶显示(LCD)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置、电泳显示(电子纸显示(EPD))装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置、电致发光显示(ELD)装置、电湿润显示(EWD)装置等。这样的平板显示装置通常包括作为必要部件的实现图像的平面显示面板。平面显示面板配置为具有彼此面对的一对组合基板,在该基板之间具有固有的发光或偏振材料。
属于这样的平板显示装置的OLED显示装置对应于自发光装置。这样的OLED显示装置不需要在作为不发光装置的LCD装置中使用的单独的光源。因此,OLED显示装置可以变得更轻和更薄。另外,相比于LCD装置,OLED显示装置具有更宽的视角、更高的对比度、更低的功耗以及更低的DC(直流)电压驱动和更快的响应速度。此外,OLED显示装置因具有固化的内部部件故而承受外部冲击并且用于宽的温度范围。
在OLED显示装置中,在从有机发光元件发射的光沿垂直方向输出至外部时必须穿过多个层。然后,通过多个层之间的反射差异产生全反射现象。由此,在横向方向上漏光。鉴于此,需要提高光在垂直方向上的输出效率。
发明内容
因此,本申请的实施方案涉及基本上消除了因相关技术的限制和缺点所造成的一个或更多个问题的OLED显示装置及其制造方法。
本实施方案提供了一种OLED显示装置及其制造方法,其通过在具有滤色器层的基板上提供具有光学图案的透明绝缘层来提高光的输出效率。
本申请实施方案的另外的特征和优点将被阐述于以下的描述中,并且本申请实施方案的另外的特征和优点通过所述描述将在某种程度上是显见的,或者可以从本实施方案的实践中获知本申请实施方案的另外的特征和优点。通过在书面的说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本实施方案的这些优点。
为了解决与相关技术相关的上述问题以及其他限制,根据本申请实施方案的一个方面的OLED显示装置包括:基板;黑色矩阵,在黑色矩阵中形成有开口并且黑色矩阵设置在基板上;设置在开口中的滤色器层;以及透明绝缘层,该透明绝缘层设置在提供有滤色器层的基板上,并且配置为包括布置成多个多边形的形状的光学图案。因此,该OLED显示装置可以提高光的输出效率。
根据本申请实施方案的另一方面的有机发光二极管显示装置的制造方法包括:在第一基板上设置薄膜晶体管;在第一基板上设置电连接至薄膜晶体管的有机发光元件;在与第一基板相对的第二基板的一个表面上设置其中形成有开口的黑色矩阵;在开口中设置滤色器层;以及在提供有滤色器层的第二基板上设置具有光学图案的透明绝缘层。光学图案布置为多个规则多边形的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





