[发明专利]晶界层半导体陶瓷片氧化剂涂覆料及其制备方法

权利要求书

1.一种晶界层半导体陶瓷片氧化剂涂覆料，其特征在于，按摩尔百分比计，所述涂覆料的组分包括：Cu₂O：3～9mol％；B₂O₃：20～25mol％；SiO₂：48～60mol％；MnO₂：1～4mol％；La₂O₃：15～20mol％。

2.如权利要求1所述的晶界层半导体陶瓷片氧化剂涂覆料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)按照上述配比，分别称量铜、硼、锰、镧的化合物溶于浓硝酸，得到溶液A，所述化合物为分别含铜、硼、锰、镧元素并可溶于硝酸的化合物；

2)量取正硅酸乙酯、二乙醇胺、无水乙醇按三者体积比5:(1～2):(2～4)混合均匀为溶液B；

3)对溶液A在80～90℃加热蒸发，当溶液A与溶液B的体积比为：溶液A/溶液B＝1.5～2时，将溶液A与溶液B均匀混合，反应形成溶胶；

4)在70～80℃烘干所述溶胶，得到干凝胶；

5)在500℃～600℃预烧所述干凝胶，预烧粉料过60目筛后形成涂覆料粉末；

6)以体积分数1～5％的水溶性高分子聚乙二醇为增塑剂，以无水乙醇为消泡剂，按照涂覆料粉末：磨球：聚乙二醇：无水乙醇的重量比为1:(3～5):(0.1～0.3):(0.8～1.2)，并用氨水调节PH值为8～10，进行球磨8～10小时得到氧化剂涂覆料的浆料。

3.如权利要求2所述的晶界层半导体陶瓷片氧化剂涂覆料的制备方法，其特征在于：步骤6)中以二氧化锆球为球磨介质。

4.如权利要求2所述的晶界层半导体陶瓷片氧化剂涂覆料的制备方法，其特征在于：步骤6)中的增塑剂选自PEG4000，PEG6000或PEG8000。