[发明专利]半导体电路、电压检测电路以及电压判定电路

说明书

本发明提供一种能够抑制电路规模以及消耗电流的增大，在电源的上升状态和下降状态下，设定不同的上电复位阈值电压的半导体电路、电压检测电路以及电压判定电路。上电复位电路(10)具备P型MOS晶体管(P11)；第一N型MOS晶体管(N11)；输出电路(O1)，其根据第一漏极(P11D)与第二漏极(N11D)的连接点的电位来输出第一输出信号，并且输出第二输出信号；第二N型MOS晶体管(N12)；以及第三N型MOS晶体管。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路中的半导体电路、电压检测电路以及电压判定电路。

背景技术

以往，上电复位电路被使用于在半导体集成电路内检知电源的接通以及断开，并在半导体集成电路内生成复位解除信号或者复位信号(例如，参照专利文献1。)。图17表示以往的上电复位电路的一个例子。使用图17，以下对以往的上电复位电路的构成动作进行说明。

首先，关于构成，以往的上电复位电路如上述图17所示，由栅极与GND连接的P型MOS晶体管P1、由栅极与从外部偏置电路输入的BIAS连接的N型MOS晶体管N1构成的检测块C1、相同构成的检测块C2、以及逻辑电路构成。

此处，检测块C1、检测块C2内的P型MOS晶体管P1和P型MOS晶体管P2由不同的阈值的晶体管构成，P型MOS晶体管P1的阈值Vtp1与P型MOS晶体管P2的阈值Vtp2为Vtp1＜Vtp2。

另外，检测块C1、检测块C2内的N型MOS晶体管N1、以及NMOS晶体管N2通过从外部偏置电路对栅极施加一定的电压而作为恒流电源发挥作用。

接下来，使用图18所示的以往的上电复位电路的动作波形对动作进行说明。

首先，电源VDD上升时，若电源VDD为P型MOS晶体管1的阈值以上，则P型MOS晶体管P1导通，由此检测块C1输出H电平。

此时，检测块C2输出L电平，由2输入NOR电路L6和2输入NOR电路L7构成的RS锁存器的输入、节点n1和节点n2如图18中所示，在节点n1切换的同时，输出OUT在Von的电压电平成为H电平。

同样地，在电源VDD下降时，在节点n2切换的同时，输出OUT在Voff的电压电平成为L电平。

这样，在以往的上电复位电路中，成为利用2个检测块检测不同的电压的构成。

专利文献1：日本特开2011－86989号公报

然而，在上述图17所示的以往的上电复位电路中，为了在电源的上升和下降设定不同的上电复位阈值电压，而需要两种阈值的MOS晶体管，除了半导体工序的工序数增加之外，需要上电复位电路内的两个检测块，所以存在电路规模、消耗电流都增大这个问题。

发明内容

本发明是为了解决上述的问题而提出的，其目的在于提供一种能够抑制电路规模以及消耗电流的增大，而在电源的上升状态和下降状态下，设定不同的上电复位阈值电压的半导体电路、电压检测电路以及电压判定电路。

为了实现上述目的，第一发明所涉及的半导体电路具备：P型MOS晶体管，其具有与电源连接的第一源极、第一漏极、和被供给固定的电位的第一栅极；输出电路，其根据所述第一漏极的电位来输出作为复位信号或者上电信号的第一输出信号，并且输出第二输出信号；恒流电源，其与所述第一漏极连接；以及N型MOS晶体管，其具有被供给固定的电位的第二源极、与所述第一漏极连接的第二漏极、和被施加来自所述输出电路的所述第二输出信号的第二栅极。