[发明专利]一种基于电击穿在氮化硅薄膜上精确制备纳米孔的方法

权利要求书

1.一种基于电击穿在氮化硅薄膜上精确制备纳米孔的方法，其特征是：该制备方法包括以下步骤：

S0：将氮化硅薄膜固定在PMMA流体腔中，薄膜两端被隔开成两个独立腔室；两个腔室加入电解质溶液，Ag/AgCl电极的正负电极分别浸泡在分隔开的两个腔室之中，并分别连接至Keithley 2450源表；

S1：Keithley 2450输出电压，同时测量薄膜两端的电流、测量薄膜两端的IV曲线，通过Labview程序线性拟合获得薄膜两端的电阻值R，进而计算出纳米孔的电导Gpore；

S2：通过圆柱模型的纳米孔电导率公式：根据薄膜的厚度l，电解质溶液的电导率σ，S1中计算出的纳米孔电导Gpore计算出纳米孔的当前孔径d，进而作为S3输出电压Voutput的调整依据；

S3:根据当前孔径d与目标孔径D的关系调整输出脉冲电压Voutput，Voutput调整的调整方式分为三种：

Case1：当d≤D–2nm，脉冲电压强度为正常递增电压，V_output＝V₀+ΔV*n；n为脉冲次数，V₀为初始电压，ΔV为电压增幅；

Case2：当D–2nm<d<D，脉冲电压强度为case1的1/3，即V_output＝(V₀+ΔV*n)/3；n为脉冲次数，V₀为初始电压，ΔV为电压增幅；

Case3：当d≥D,脉冲电压强度为安全电压，即V_output＝100mV。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述电解质溶液的电导率采用电导率仪测出。