[发明专利]电源快速启动电路在审

专利信息
申请号: 201510742005.6 申请日: 2015-11-04
公开(公告)号: CN105323925A 公开(公告)日: 2016-02-10
发明(设计)人: 巴明磊;吴海燕;方洁苗 申请(专利权)人: 浙江榆阳电子有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 沈孝敬
地址: 314500 浙江省嘉兴*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电源 快速 启动 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及发电路领域,尤其涉及LED电源的启动电路,具体地说是一种电源快速启动电路。

背景技术

随着LED行业的快速发展,市场对LED灯具的启动时间要求越来越快,现在CE中已经规定进入欧洲的灯具启动时间需满足小于0.5S,LED电源传统的单级启动电路已经无法满足这个要求,两级启动线路本身的局限性,不能使其满足全部的LED电源芯片,很多IC本身又不含有内部高压启动功能,形式迫切需求一个新的启动线路来满足快速启动的要求。

发明内容

本发明要解决的是现有技术存在的上述问题,旨在提供一种结构简单,元器件少,成本低的电源快速启动电路。

为解决上述问题,本发明采用以下技术方案:电源快速启动线路,包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R41、电容C3、电容C5、稳压二极管ZD2、二极管D1、二极管D2、NMOS管Q1及电解电容EC1,其特征在于所述电阻R8一端及NMOS管的漏极与整流后电压VBUS连接,所述电阻R8另一端接电阻R9一端,所述电阻R9另一端与、所述电容C3一端及NMOS管Q1的栅极连接,所述NMOS管Q1的源极与电容C5的一端及二极管D1的正极连接,所述二极管D1的负极与电阻R10的一端连接,所述电阻R10的另一端、电解电容EC1的正极、稳压管二极管ZD2的负极及二极管D2的负极连接IC的供电引脚VCC连接,所述二极管D2的正极与电阻R41一端连接,所述电阻R41的另一端与变压器辅助绕组的正端VA连接,所述稳压二极管ZD2的正极、电容C3的另一端、电容C5的另一端、电解电容EC1的负极及稳压二极管ZD2的正极均接地。

本发明的电源快速启动电路,当电源开关开启后,AC电压经过整流桥后的电压VBUS通过电阻R8,电阻R9对电容C3充电,当电容C3上的电压达到NMOS管Q1的开启门限电压时Q1导通,VBUS电压通过NMOS管Q1、二极管D1及电阻R10对电解电容EC1充电,当电解电容EC1上的电压达到IC的开启电压时,IC启动,电源工作。当电容C5上的电压充到使NMOS管Q1VGS电压低于NMOS管开启门限电压时,NMOS管Q1关闭。将电容C3配置容值很小的贴片电容,NMOS管Q1可以瞬间导通,同时将电阻R10的阻值设计得较小,EC1上的电压VCC迅速能够达到IC的开启电压。

可见,本发明的电源快速启动电路,结构简单,元器件少,成本低廉,运行可靠,并且达到瞬间快速启动的效果。

作为本发明的改进,所述NMOS管Q1的栅源极之间还设有稳压管ZD1,并且,所述稳压管ZD1的负极与NMOS管Q1的栅连接,所述稳压管ZD1的正极与NMOS管Q1的源极连接。稳压管ZD1可嵌位电容C3上的电压,防止电容C3上的电压超过NMOS管VGS最大电压从而击穿NMOS管。

作为本发明的进一步改进,所述的稳压管ZD1采用BZT52C15稳压管。所述的NMOS管Q1采用TK4A60DBMOS管。所述的稳压管ZD2采用BZT52C20稳压管。所述的二极管D1和二极管D2采用1N4148W二极管。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。

图1是本发明电源快速启动电路的结构示意图。

具体实施方式

参照图1,本发明的电源快速启动线路,包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R41、电容C3、电容C5、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2、二极管D1、二极管D2、NMOS管Q1及电解电容EC1,所述电阻R8一端及NMOS管的漏极与整流后电压VBUS连接,所述电阻R8另一端接电阻R9一端,所述电阻R9另一端与稳压管ZD1负极、所述电容C3一端及NMOS管Q1的栅极连接,所述NMOS管Q1的源极与电容C5的一端及二极管D1的正极连接,所述二极管D1的负极与电阻R10的一端连接,所述电阻R10的另一端、电解电容EC1的正极、稳压管二极管ZD2的负极及二极管D2的负极连接IC的供电引脚VCC连接,所述二极管D2的正极与电阻R41一端连接,所述电阻R41的另一端与变压器辅助绕组的正端VA连接,所述稳压二极管ZD1的正极、稳压二极管ZD2的正极、电容C3的另一端、电容C5的另一端、电解电容EC1的负极及稳压二极管ZD2的正极均接地。

所述的稳压管ZD1采用BZT52C15稳压管。所述的NMOS管Q1采用TK4A60DBMOS管。所述的稳压管ZD2采用BZT52C20稳压管。所述的二极管D1和二极管D2采用1N4148W二极管。

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