[发明专利]电子装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510741043.X | 申请日： | 2015-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105592636B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 上村泰纪;清水浩三;作山诚树 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/34 | 分类号： | H05K3/34;C22C30/04;C22C30/00;C22C28/00;C22C13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电部件 电装置 合金 电子装置 制造 | ||
1.一种电子装置，包括：
第一电部件；
第二电部件；以及
连接所述第一电部件与所述第二电部件的In-Sn-Ag合金，所述In-Sn-Ag合金包含AgIn2和Ag2In，Ag2In含量低于AgIn2含量。
2.根据权利要求1所述的电子装置，还包括：
设置在所述第一电部件处的第一电极；以及
设置在所述第二电部件处的第二电极，所述In-Sn-Ag合金连接所述第一电极与所述第二电极。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述In-Sn-Ag合金包含不小于43重量％并且不大于60重量％的In。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述In-Sn-Ag合金包含不大于3重量％的Ag。
5.根据权利要求1所述的电子装置，还包括：
第三电部件；以及
连接所述第二电部件与所述第三电部件的合金，所述合金由与所述In-Sn-Ag合金不同的材料制成。
6.根据权利要求5所述的电子装置，还包括：
设置在所述第三电部件处的第三电极，所述合金连接所述第二电极与所述第三电极。
7.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述材料的熔点高于所述In-Sn-Ag合金的熔点。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一电部件为半导体器件，并且所述第二电部件为电路板。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一电部件为半导体器件，并且所述第二电部件为封装基板。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一电部件为半导体器件，并且所述第二电部件为插入件。
11.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一电部件为封装基板，并且所述第二电部件为电路板。
12.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一电部件为插入件，并且所述第二电部件为封装基板。
13.根据权利要求9所述的电子装置，还包括：
电路板，以及
连接所述封装基板与所述电路板的合金，所述合金由与所述In-Sn-Ag合金不同的材料制成。
14.根据权利要求10所述的电子装置，还包括：
电路板，以及
连接所述插入件与所述电路板的合金，所述合金由与所述In-Sn-Ag合金不同的材料制成。
15.根据权利要求12所述的电子装置，还包括：
电路板，以及
连接所述封装基板与所述电路板的合金，所述合金由与所述In-Sn-Ag合金不同的材料制成。
16.根据权利要求8所述的电子装置，还包括：
封装基板，以及
连接所述电路板与所述封装基板的合金，所述合金由与所述In-Sn-Ag合金不同的材料制成。
17.根据权利要求10所述的电子装置，还包括：
封装基板，以及
连接所述插入件与所述封装基板的合金，所述合金由与所述In-Sn-Ag合金不同的材料制成。
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