[发明专利]一种可调的分布式放大器电路在审
| 申请号： | 201510738528.3 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN105356855A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 张瑛 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03G3/20 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 210003 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可调 分布式 放大器 电路 | ||
1.一种可调的分布式放大器电路，包括若干个增益单元和连接在每个所述增益单元输入端的输入片上电感、连接在每个所述增益单元输出端的输出片上电感，其特征在于：至少在一组相邻的两个增益单元之间的输入端串联两个NMOS晶体管，所述NMOS晶体管与所述输入片上电感构成带通匹配网络，两个所述NMOS晶体管各自的源极和漏极连在一起，两个所述NMOS晶体管之间通过第一偏置电阻接至偏置电压；每个增益单元的输入端接有第二偏置电阻，从所述第二偏置电阻的另一端施加第二偏置电压。
2.根据权利要求1所述的分布式放大器电路，其特征在于：两个所述NMOS晶体管分别连在所述输入片上电感的两端，且栅极与所述片上电感相连。
3.根据权利要求1所述的分布式放大器电路，其特征在于：两个所述NMOS晶体管分别连在所述输入片上电感的两端，且源极和漏极与所述片上电感相连。
4.根据权利要求1所述的分布式放大器电路，其特征在于：两个所述NMOS晶体管设在所述片上电感的同一侧，且栅极直接相连。
5.权利要求1所述的分布式放大器电路，其特征在于：两个所述NMOS晶体管设在所述片上电感的同一侧，且源极和漏极直接相连。
6.根据权利要求1所述的分布式放大器电路，其特征在于：所述增益单元为一NMOS管，其栅极为输入端，漏极为输出端。
7.根据权利要求1所述的分布式放大器电路，其特征在于：所述增益单元由两个连接的NMOS管组成，第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极连接，第二NMOS管的栅极为输入端，第一NMOS管的漏极为输出端。
8.根据权利要求1所述的分布式放大器电路，其特征在于：所述增益单元由两个NMOS管和一个电感组成，第一NMOS管的源极与所述电感一端连接，所述电感的另一端连接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的栅极为输入端，第一NMOS管的漏极为输出端。
9.根据权利要求1所述的分布式放大器电路，其特征在于：在第一个输入片上电感之前和最后一个输入片上电感之后以及在第一个输入片上电感之前和最后一个输入片上电感之后分别串联有一个耦合电容。
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