[发明专利]功率放大器有效
| 申请号： | 201510733961.8 | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN105591619B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 渡边一雄;田中聪;林范雄;杉浦一真 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F1/07 | 分类号： | H03F1/07;H03F1/30;H03F3/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡秋瑾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率放大器 | ||
1.一种功率放大器，其特征在于，包括：
第一电容器，该第一电容器的一端输入有无线频率信号；
第一晶体管，该第一晶体管的基极与所述第一电容器的另一端相连，对所述无线频率信号进行放大；
偏置电路，该偏置电路向所述第一晶体管的基极提供偏置；以及
第二电容器，该第二电容器的一端与所述第一晶体管的基极相连接，另一端与所述第一晶体管的发射极直接连接且与接地也直接连接。
2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，
所述第二电容器由至少一个二极管构成，
所述二极管的阴极与所述第一晶体管的基极相连接，其阳极与所述第一晶体管的发射极相连接。
3.如权利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，
所述第二电容器的一端与所述第一晶体管的基极直接连接。
4.如权利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，
所述第二电容器的一端与所述第一电容器的另一端直接连接。
5.如权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，
所述第二电容器的一端与所述第一电容器的另一端直接连接。
6.如权利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，
所述偏置电路包括：
第二晶体管，该第二晶体管的集电极上施加有电源电压，其基极上施加有偏置控制电压；以及
第一电阻，该第一电阻的一端与所述第二晶体管的发射极相连接，另一端与所述第一晶体管的基极相连接。
7.如权利要求5所述的功率放大器，其特征在于，
所述偏置电路包括：
第二晶体管，该第二晶体管的集电极上施加有电源电压，其基极上施加有偏置控制电压；以及
第一电阻，该第一电阻的一端与所述第二晶体管的发射极相连接，另一端与所述第一晶体管的基极相连接。
8.如权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，
所述偏置电路包括：
第二晶体管，该第二晶体管的集电极上施加有电源电压，其基极上施加有偏置控制电压；以及
第一电阻，该第一电阻的一端与所述第二晶体管的发射极相连接，另一端与所述第一晶体管的基极相连接。
9.如权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，
所述偏置电路包括：
第二晶体管，该第二晶体管的集电极上施加有电源电压，其基极上施加有偏置控制电压；以及
第一电阻，该第一电阻的一端与所述第二晶体管的发射极相连接，另一端与所述第一晶体管的基极相连接。
10.如权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，
所述第二电容器的一端与所述第一电阻的另一端直接连接。
11.如权利要求7所述的功率放大器，其特征在于，
所述第二电容器的一端与所述第一电阻的另一端直接连接。
12.如权利要求8所述的功率放大器，其特征在于，
所述第二电容器的一端与所述第一电阻的另一端直接连接。
13.如权利要求9所述的功率放大器，其特征在于，
所述第二电容器的一端与所述第一电阻的另一端直接连接。
14.如权利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，
所述第二电容器的电容值大致等同于所述第一晶体管截止时的电容值。
15.如权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，
所述第二电容器的电容值大致等同于所述第一晶体管截止时的电容值。
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