[发明专利]一种自动调节亮度的OLED发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种自动调节亮度的OLED发光器件，包括基板、发光单元和检测单元，其特征在于，所述检测单元设置于所述基板和发光单元之间，其依次包括第一导电层、有机半导体层和设置于所述有机半导体层上的第二导电层，所述第一导电层设置于所述基板上；所述OLED发光器件上还设有与所述发光单元、检测单元电性连接的用于调节所述发光单元输入电流的控制装置；

所述发光单元所发射出来的光透过第二导电层照射到所述有机半导体层上，所述有机半导体层具有光生伏特效应，所述控制装置用于检测所述检测单元的输出电压，并根据检测结果回馈控制发光单元的输入电流，所述输出电压与所述发光单元的发光强度对应。

2.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述控制装置包括：电源，其与所述发光单元电性连接；

电压传感器，其与所述检测单元的第一导电层和第二导电层电性连接，用于检测所述检测单元的输出电压；

数据分析模块，与所述电压传感器电性连接，用于接收所述电压传感器的电压信号，并与所设定的电压阈值进行比较，判断所述发光单元的发光强弱变化；

电流控制器，分别与所述电源、数据分析模块电性连接，根据所述数据分析模块对所述发光单元的发光强弱作出判断，并控制所述电源的电流输出大小；

通过电压传感器检测检测单元的输出电压；通过数据分析模块对输出电压与所设定的电压阈值进行比对，判断输出电压的高低；若输出电压低于电压阈值时，通过电流控制器提高与发光单元电性连接的输入电流值。

3.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述发光单元和检测单元均为单层或多层的有机半导体层。

4.根据权利要求3所述的OLED发光器件，其特征在于，所述检测单元厚度为1nm-300nm。

5.根据权利要求4所述的OLED发光器件，其特征在于，所述检测单元的厚度为30nm-100nm。

6.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述第二导电层为透明导电层。

7.根据权利要求6所述的OLED发光器件，其特征在于，所述透明导电层为透明导电氧化物薄膜(TCO)或金属薄膜层。

8.根据权利要求7所述的OLED发光器件，其特征在于，所述金属薄膜层的材料为功函数较低的金属或功函数较低的金属与铜、金、银、镁、铝的合金，或功函数较低的金属与金属氟化物交替形成的电极层。

9.根据权利要求8所述的OLED发光器件，其特征在于，所述金属薄膜层的厚度为10-50nm。

10.一种OLED发光器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤一，在基板上蒸镀由第一导电层、有机半导体层和第二导电层组成的检测单元；

步骤二，在检测单元之上依次蒸镀有机层和阴极层，使第二导电层、有机层和阴极层组成发光单元，制得OLED发光器件；

步骤三，将所制得的OLED发光器件进行封装；

步骤四，将用于控制发光单元输入电流的控制装置与发光单元、检测单元电性连接；

所述发光单元所发射出来的光透过第二导电层照射到所述有机半导体层上，所述有机半导体层具有光生伏特效应，所述控制装置用于检测所述检测单元的输出电压，并根据检测结果回馈控制发光单元的输入电流，所述输出电压与所述发光单元的发光强度对应。