[发明专利]光学成像系统在审
申请号: | 201510731486.0 | 申请日: | 2015-11-02 |
公开(公告)号: | CN105589173A | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 唐乃元;张永明 | 申请(专利权)人: | 先进光电科技股份有限公司 |
主分类号: | G02B13/00 | 分类号: | G02B13/00;G02B13/18;G02B9/62 |
代理公司: | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人: | 肖鹂;王君 |
地址: | 中国台湾中部科学工业*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 成像 系统 | ||
技术领域
本发明涉及一种光学成像系统组,且特别涉及一种应用于电子产品上的 小型化光学成像系统。
背景技术
近年来,随着具有摄影功能的便携式电子产品的兴起,光学系统的需求 日渐提高。一般光学系统的感光元件不外乎是感光耦合元件(ChargeCoupled Device;CCD)或互补性氧化金属半导体元(ComplementaryMetal-Oxide SemiconductorSensor;CMOSSensor)两种,且随着半导体制作工艺的精进, 使得感光元件的像素尺寸缩小,光学系统逐渐往高像素领域发展,因此对成 像质量的要求也日益增加。
传统搭载于便携式装置上的光学系统,多采用四片或五片式透镜结构为 主,然而由于便携式装置不断朝提高像素并且终端消费者对其薄型化的需求 殷切,现有的光学成像系统已无法满足更高阶的摄影要求。
发明内容
因此,本发明实施例的目的在于,提供一种技术,能够有效减少光学成 像系统的系统高度,并进一步提高成像的质量。
本发明实施例相关的透镜参数的用语与其符号详列如下,作为后续描述 的参考:
与长度或高度有关的透镜参数
光学成像系统的成像高度以HOI表示;光学成像系统的高度以HOS表 示;光学成像系统的第一透镜物侧面至第六透镜像侧面间的距离以InTL表 示;光学成像系统的固定光阑(光圈)至成像面间的距离以InS表示;光学成 像系统的第一透镜与第二透镜间的距离以In12表示(例示);光学成像系统的 第一透镜在光轴上的厚度以TP1表示(例示)。
与材料有关的透镜参数
光学成像系统的第一透镜的色散系数以NA1表示(例示);第一透镜的折 射率以Nd1表示(例示)。
与视角有关的透镜参数
视角以AF表示;视角的一半以HAF表示;主光线角度以MRA表示。
与出入瞳有关的透镜参数
光学成像系统的入射瞳直径以HEP表示。
与透镜面形深度有关的参数
第六透镜物侧面在光轴上的交点至第六透镜物侧面的最大有效径位置 在光轴的水平位移距离以InRS61表示(最大有效径深度);第六透镜像侧面在 光轴上的交点至第六透镜像侧面的最大有效径位置在光轴的水平位移距离 以InRS62表示(最大有效径深度)。其他透镜物侧面或像侧面的最大有效径的 深度(沉陷量)表示方式比照前述。
与透镜面型有关的参数
临界点C指特定透镜表面上,除与光轴的交点外,一与光轴相垂直的切 面相切的点。承上,例如第五透镜物侧面的临界点C51与光轴的垂直距离为 HVT51(例示),第五透镜像侧面的临界点C52与光轴的垂直距离为HVT52(例 示),第六透镜物侧面的临界点C61与光轴的垂直距离为HVT61(例示),第 六透镜像侧面的临界点C62与光轴的垂直距离为HVT62(例示)。其他透镜物 侧面或像侧面上的临界点及其与光轴的垂直距离的表示方式比照前述。
第六透镜物侧面上最接近光轴的反曲点为IF611,该点沉陷量SGI611(例 示),SGI611亦即第六透镜物侧面在光轴上的交点至第六透镜物侧面最近光 轴的反曲点之间与光轴平行的水平位移距离,IF611该点与光轴间的垂直距 离为HIF611(例示)。第六透镜像侧面上最接近光轴的反曲点为IF621,该点 沉陷量SGI621(例示),SGI611亦即第六透镜像侧面在光轴上的交点至第六 透镜像侧面最近光轴的反曲点之间与光轴平行的水平位移距离,IF621该点 与光轴间的垂直距离为HIF621(例示)。
第六透镜物侧面上第二接近光轴的反曲点为IF612,该点沉陷量 SGI612(例示),SGI612亦即第六透镜物侧面在光轴上的交点至第六透镜物侧 面第二接近光轴的反曲点之间与光轴平行的水平位移距离,IF612该点与光 轴间的垂直距离为HIF612(例示)。第六透镜像侧面上第二接近光轴的反曲点 为IF622,该点沉陷量SGI622(例示),SGI622亦即第六透镜像侧面在光轴上 的交点至第六透镜像侧面第二接近光轴的反曲点之间与光轴平行的水平位 移距离,IF622该点与光轴间的垂直距离为HIF622(例示)。
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